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单选题
在做集成电路的多晶硅电容设计时,要计算每个电容的容值,那么电容的面积大小是怎样计算的?()
A
第一层多晶硅的面积
B
第二层多晶硅的面积
C
二层多晶硅重叠后的面积
参考答案
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解析:
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考题
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等效电容为两个电容之和D
总电量Q为两个电容器所带电量之和
考题
单选题关于两个电容器相并联,下列说法错误的是()。A
总电量Q为两个电容器所带电量之和B
等效电容为两个电容之和C
若其中一个电容器的耐压等级较低,那么并联后的工作电压不超过这一电压值D
每个电容器上的电压值与其电容值成反比
考题
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多晶硅中两个引线孔中心点的距离C
多晶硅中两个引线孔内侧的距离D
多晶硅中两个引线孔外侧的距离
考题
单选题一电解电容的标称值是110V,10μF。下列说法正确的是()。A
电容两端加110V的电压时,电容量是10μFB
电容两端允许加电压的最大值是110V,电容量的大小与所加电压无关C
电容两端允许加电压的有效值是110V,电容量的大小与所加电压无关D
电容两端允许加电压的最大值是110V,电容量的大小与所加电压有关
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