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多选题
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()
A
突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
B
突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
C
突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
D
潜伏期短,持续时间短
E
可调节控制感觉信息的传入活动
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考题
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短,持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短,持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
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