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题目内容
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单选题
关于突触前抑制的叙述，正确的是（）。
A
突触前膜超极化
B
突触后膜超极化
C
突触前膜去极化
D
突触前膜释放抑制性递质
E
潜伏期较短
参考答案
参考解析
解析：
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考题
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
关于突触后抑制正确的叙述有（）A、可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B、是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C、突触后膜产生IPSPD、突触后膜产生EPSPE、一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
考题
关于突触前抑制的正确描述是（）A、突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化，释放抑制性递质C、突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
多选题关于突触后抑制正确的叙述有（）A可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种B是由突触前末梢释放抑制性递质引起的C突触后膜产生IPSPD突触后膜产生EPSPE一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题关于突触前抑制的正确描述是（）A
突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B
突触前膜超极化，释放抑制性递质C
突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D
突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A
结构基础与突触前抑制不同B
到达突触前末梢的动作电位频率高C
有多个兴奋同时到达突触前末梢D
进人突触前末梢内Ca2+增多E
突触后膜有多个EPSP发生总和
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