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单选题
关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）
A
结构基础与突触前抑制不同
B
到达突触前末梢的动作电位频率高
C
有多个兴奋同时到达突触前末梢
D
进人突触前末梢内Ca2+增多
E
突触后膜有多个EPSP发生总和
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考题
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
下述关于兴奋突触传递过程的论述，哪一项是错误的？A. 突触前膜去极化
B. Ca2+进入突触前膜
C. 突触前膜释放兴奋性递质
D. 突触后膜对Na+通透性增强
E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位
考题
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
关于突触传递可塑性的说法中错误的是A.突触易化主要涉及的离子是Ca2+
B.突触强化主要是由于前膜内Na蓄积
C.长时程强化指该突触活动增强
D.突触强化与Ca浓度增高有关
E.突触易化与Na蓄积有关
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A、突触易化主要涉及的离子是Ca2+B、突触强化主要是由于前膜内的Na+蓄积C、突触强化与Ca2+浓度增高有关D、长时程强化指该突触活动增强E、突触易化与Na+蓄积有关
考题
关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A、突触易化主要涉及的离子是CaB、突触强化主要是由于前膜内Na蓄积C、长时程强化指该突触活动增强D、突触强化与Ca浓度增高有关E、突触易化与Na蓄积有关
考题
关于突触前易化的产生，正确的描述是（）A、突触前膜钾通道通透性增高B、到达末梢的动作电位频率增高C、多个兴奋同时到达突触前末梢D、突触前末梢递质释放增多E、突触后膜多个EPSP发生总和
考题
单选题关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A
突触易化主要涉及的离子是Ca2+B
突触强化主要是由于前膜内的Na+蓄积C
突触强化与Ca2+浓度增高有关D
长时程强化指该突触活动增强E
突触易化与Na+蓄积有关
考题
单选题关于突触前易化的产生，正确的描述是（）A
突触前膜钾通道通透性增高B
到达末梢的动作电位频率增高C
多个兴奋同时到达突触前末梢D
突触前末梢递质释放增多E
突触后膜多个EPSP发生总和
考题
单选题关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）A
突触易化主要涉及的离子是CaB
突触强化主要是由于前膜内Na蓄积C
长时程强化指该突触活动增强D
突触强化与Ca浓度增高有关E
突触易化与Na蓄积有关
考题
单选题关于突触传递可塑性的说法中错误的是（）。A
突触易化主要涉及的离子是Ca2+B
突触强化主要是由于前膜内Na+蓄积C
长时程强化指该突触活动增强D
突触强化与Ca2+浓度增高有关E
突触易化与Na+蓄积有关
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是（ ）。A
以树突一树突式突触为结构基础B
多见于运动传出通路中C
潜伏期和持续时间均较长D
因突触前膜发生超极化而产生E
意义在于使神经元的活动及时终止
考题
单选题下列关于突触可塑性的描述，正确的是（）A
是学习和记忆的生理学基础B
突触传递效能仅发生短时改变C
也被称为突触易化D
仅有突触功能的改变而无形态改变E
只有少数几种可塑性形式
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