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名词解释题
纵向集成度

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考题 集成电路的集成度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有关,尺寸越小,集成度越高()。 此题为判断题(对，错)。
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考题 和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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考题 微处理机构的功能主要取决于（）。A、信息处理器所能具有的集成度B、寄存器所能具有的集成度C、外部设备的功能
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考题 在硬件设计时，选用集成度高的元器件来替代分立元件或集成度低的器件可以降低系统的复杂度，提高抗干扰能力，降低故障率。
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考题 纵向集成度
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考题 提高纵向集成度的益处。
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考题 动态ram的特点包括（）A、集成度高，价格高B、集成度地，价格便宜C、集成度高，价格便宜D、集成度地，价格高
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考题 增加集成度在简化的路径包括增加集成度、（）、双系统与多系统和（）。
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 集成度与线宽有对应关系，即集成度越高，线宽越小，所以，线宽也常用来表示集成电路制度技术水平的高低。
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考题 集成度是标志集成电路水平的指标之一。
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考题 SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
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考题 RF-SIM卡是一个（）卡片系统A、普通B、高集成度C、低集成度D、非通讯型
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考题 下列有关Moore定律正确叙述的是（）。A、单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番B、单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番C、单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番D、单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番
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考题 纵向集成度是和自制或外购决策相关联的概念。
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考题 提高纵向集成度容易带来的问题。
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考题 按照芯片的集成度不同，集成电路可分为：（）、（）、（）、（）和（）
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考题 组合逻辑电路按照集成度可分为（）。A、SSIB、MSIC、LSID、VLSI
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考题 判断题集成度与线宽有对应关系，即集成度越高，线宽越小，所以，线宽也常用来表示集成电路制度技术水平的高低。A 对B 错
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考题 问答题解释基本概念：集成电路、集成度、特征尺寸。
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考题 判断题热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。A 对B 错
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考题 名词解释题集成度
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考题 单选题下列有关Moore定律正确叙述的是（）。A 单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番B 单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番C 单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番D 单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番
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考题 填空题增加集成度在简化的路径包括增加集成度、（）、双系统与多系统和（）。
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考题 问答题提高纵向集成度的益处。
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考题 判断题纵向集成度是和自制或外购决策相关联的概念。A 对B 错
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考题 问答题提高纵向集成度容易带来的问题。
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