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在硬件设计时,选用集成度高的元器件来替代分立元件或集成度低的器件可以降低系统的复杂度,提高抗干扰能力,降低故障率。
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考题
和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是( )。A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大
考题
()不属于静电对电子元器件的三种影响。A、吸引或排斥B、静电吸附灰尘,降低元器件绝缘电阻C、静电放电破坏,使元件受损不能工作D、ESD产生的电磁场幅度很大频谱极宽,对电子器件造成干扰甚至破坏
考题
下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低
考题
单选题下列关于元器件布局的说法中,错误的是()。A
可以将元器件以任意旋转角度(比如0.5°)放置B
元件可以放置在对应的Room外C
元器件边框可以放置到PCB边界以外D
元件既可以放置在顶层,也可以放置在底层
考题
单选题当电子元器件和集成电路上吸附尘埃过多时,将会降低其散热能力;当元器件内落入导电尘埃后,会使元器件间的绝缘性能降低,严重时会造成()。A
温度过高B
温度降低C
腐蚀D
短路
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