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单选题
态1D2的能级在磁感应强度B的弱磁场中分裂多少子能级()
A

3个

B

5个

C

2个

D

4个


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 下列描述正确的是A、质子角动量的方向与外加磁场同方向时处于低能级状态B、质子角动量的方向与外加磁场同方向时处于高能级状态C、质子角动量的方向与外加磁场反方向时处于低能级状态D、质子角动量的方向与外加磁场垂直时处于低能级状态E、质子角动量的方向与外加磁场垂直时处于高能级状态

考题 原子光谱是由哪种跃迁产生的A、原子在能级之间B、基态原子在能级之间C、电子在能级之间D、电子在基态原子的能级之间E、电子在激发态原子的能级之间

考题 费米能级是,在T=0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。()

考题 分子由较高振动能级向同一电子态的最低振动能级的非辐射跃迁称为()。

考题 分子荧光与分子磷光均为第一激发态的最低振动能级跃至基态中各振动能级产生的光辐射,它们的主要区别在于()A、产生光辐射的能源不同B、激发态能态的多重度不同C、跃至基态中的振动能级不同D、无辐射弛豫的途径不同

考题 物质发射磷光对应的能级跃迁是()。A、分子从较高能级的激发态跃迁到第一激发态的最低振动能级B、分子从单线第一激发态的最低振动能级跃迁到基态的最低振动能级C、分子从单线第一激发态的最低振动能级跃迁到基态的各振动能级D、分子从三线激发态的最低振动能级跃迁到基态的各个振动能级

考题 表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();A、施主态B、受主态C、电中性

考题 在发射光谱分析中,仪器所测得的谱线是原子()过程中产生的。A、受激发后从高能级返回低能级B、从低能级跃迁至高能级C、分裂D、吸收能量

考题 分子荧光的产生对应于下属哪种能级跃迁?()A、分子从较高能级的激发态跃迁到第一激发态的最低振动能级B、分子从单线第一激发态的最低振动能级跃迁到基态的最低振动能级C、分子从单线第一激发态的最低振动能级跃迁到基态的各振动能级D、分子从三线激发态的最低振动能级跃迁到基态的各个振动能级

考题 某原子处于4D1/2态,若将其放于弱磁场中,则能级分裂为()A、2个B、9个C、不分裂D、4个

考题 下列哪种去激发过程是分子荧光发射过程()A、分子从第一激发单重态的各振动能级跃迁回基态B、分子从第一激发单重态的最低振动能级跃迁回基态C、分子从第一激发三重态的各振动能级跃迁回基态D、分子从第一激发三重态的最低振动能级跃迁回基态

考题 态1D2的能级在磁感应强度B的弱磁场中分裂多少子能级()A、3个B、5个C、2个D、4个

考题 如果原子处于2P3/2态,将它置于弱外磁场中时,它对应能级应分裂为()A、3个B、2个C、4个D、5个

考题 判断处在弱磁场中,下列原子态的子能级数那一个是正确的()A、4D3/2分裂为2个B、1P1分裂为3个C、2F5/2分裂为7个D、1D2分裂为4个

考题 最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。A、EA,B、ED,C、EF,D、Ei

考题 在多电子原子中,(n-1)d能级的能量总是大于ns能级的。

考题 单选题核磁共振技术利用的是哪种能级?()A 原子核外电子的不同能级B 分子的转动或振动能级C 原子核在外加磁场中的塞曼能级劈裂D 原子核自旋与角动量耦合引起的能级分裂

考题 单选题原子光谱是由哪种跃迁产生的()A 原子在能级之间B 基态原子在能级之间C 电子在能级之间D 电子在基态原子的能级之间E 电子在激发态原子的能级之间

考题 单选题如果原子处于2P3/2态,将它置于弱外磁场中时,它对应能级应分裂为()A 3个B 2个C 4个D 5个

考题 单选题某原子处于4D1/2态,若将其放于弱磁场中,则能级分裂为()A 2个B 9个C 不分裂D 4个

考题 单选题判断处在弱磁场中,下列原子态的子能级数那一个是正确的()A 4D3/2分裂为2个B 1P1分裂为3个C 2F5/2分裂为7个D 1D2分裂为4个

考题 单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶

考题 判断题发光的本质是原子、分子等从具有较高能级的激发态到较低能级的激发态跃迁过程中释放能量的一种形式。A 对B 错

考题 单选题表面态中性能级位于费米能级以上时,该表面态为();A 施主态B 受主态C 电中性

考题 单选题氦原子有单态和三重态两套能级,从而它们产生的光谱特点是()A 单能级各线系皆为单线,三重能级各线皆为三线B 单重能级各线系皆为双线,三重能级各线系皆为三线C 单重能级各线系皆为单线,三重能级各线系皆为双线D 单重能级各线系皆为单线,三重能级各线系较为复杂,不一定是三线.

考题 单选题下列描述正确的是(  )。A 质子角动量的方向与外加磁场同方向时处于低能级状态B 质子角动量的方向与外加磁场同方向时处于高能级状态C 质子角动量的方向与外加磁场反方向时处于低能级状态D 质子角动量的方向与外加磁场垂直时处于低能级状态E 质子角动量的方向与外加磁场垂直时处于高能级状态

考题 单选题最有效的复合中心能级位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能级位置在()附近,常见的是少子陷阱。A EA,B ED,C EF,D Ei