考题
场效应管的工作原理是()
A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
考题
结型场效应管发生预夹断后,管子()
A、关断B、进入恒流区C、进入饱和区D、可变电阻区
考题
钨极氩弧焊钨极承载电流的能力较差，过大的电流会引起钨极熔化和蒸发，易使熔池受到污染(夹钨)。( )
考题
晶闸管工作过程中,管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以()。
A.阳极电流B.门极电流C.阳极电流与门极电流之差D.阳极电流与门极电流之和
考题
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
考题
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
考题
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
晶闸管工作过程中,管子本身的损耗等于管子两端的电压乘以()。
A、阳极电流B、门极电流C、阳极电流与门极电流之差D、阳极电流与门极电流之和
考题
二极管的反向电流IR是管子未（）时反向电流的数值，反向电流越（），管子的单向导电性能越（）。
考题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
考题
在FBE涂料施工后，首先要发生的事是？（）A、真空清洁B、淬火C、漏涂点检测D、管子逆电流器施工
考题
由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
考题
半导体二极管的正向导通电阻的大小（）A、为一常数，与工作电流无关B、不为常数，随电流加大而减小C、不为常数，随工作电流加大而加大D、不为常数，随电流加大先减小后加大
考题
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
考题
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
考题
二极管最大整流电流是指管子未击穿时的反向电流。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
考题
当场效应管被预夹断后，ID将随VDS的增大而（）A、增大B、减小C、不变D、略微增大
考题
在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（）A、阳极电流B、门极电流C、阳极电流与门极电流之差D、阳极电流与门极电流之和
考题
可控硅的门极触发电流是从（）极流入晶闸管。A、阳极B、门极C、阴极D、漏极
考题
填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
考题
单选题在FBE涂料施工后，首先要发生的事是？（）A
真空清洁B
淬火C
漏涂点检测D
管子逆电流器施工
考题
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压