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1、1、电流源电路中的MOSFET应该工作在_____状态

A.电阻区

B.饱和区

C.截至区

D.击穿区


参考答案和解析
饱和区
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考题 含实际电流源的电路有下列哪些工作状态?( ) A、加载B、短路C、开路D、通路

考题 电流源电路在集成运放中,常作为偏置电路和有源负载电路。()

考题 MOSFET管的实际电路中,一般应用在两种工作状态下。() 此题为判断题(对,错)。

考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

考题 电路有()、()和()三种工作状态。当电路中电流 、端电压U=0时,此种状态称作(),这种情况下电源产生的功率全部消耗在()上。

考题 所示电路中,求U1、U2及电流源、电压源各自的功率。

考题 当初,发明学生用电流表的人应该有以下思维过程:(1)电流表应串联在被测电路中,这样,利用串联电路的特征“________________”可知:电流表显示的电流值就等于被测电路的电流值。(2)为提高测量的精度,电流表的接入对原电路的影响应该可以忽略,因此,设计的电流表的内部电阻应该________________。

考题 已知图示电路中US = 2V,IS=2A。电阻R1和R2消耗的功率由何处供给? A.电压源 B.电流源 C.电压源和电流源 D.不一定

考题 在图示的电路中,IS1=3A,IS2=6A。当电流源IS1单独作用时,流过R0=1Ω电阻的电流I=1A,则流过电阻R的实际电流I值为: A. -1A B. +1A C. -2A D.+2A

考题 观察图示的直流电路可知,在该电路中: A.IS和R1形成一个电流源模型,US和R2形成一个电压源模型 B.理想电流源IS的端电压为0 C.理想电流源Is的端电压由U1和U2共同决定 D.流过理想电压源的电流与IS无关

考题 图示电路,当电流源IS1=5A,电流源IS2=2A时,电流I=1.8A;当电流源IS1=2A,电流源IS2=8A时,电流I=0A。那么,当电流源IS1=2A,电流源IS1=-2A时,则电流I为(  )。 A. 0.5A B. 0.8A C. 0.9A D. 1.0A

考题 开关电源中MOSFET管稳态工作时,栅板控制电流很小。()

考题 测量电路电流时,为了减少电流表接入对电路工作状态的影响,电流表内阻应该越小越好。()

考题 以下有关电路状态的说法正确的有()A、电路在通路状态时,电路中有电流流过B、电路在开路状态时,电路中没有电流流过C、电路在短路状态时,电路中的电流将比通路时大很多倍D、短路是一种正常的电路状态

考题 在电压源和电流源等值变换中,电压源中的电动势和电流源中的电流,在电路中应保持()一致。A、方向B、大小C、内特性

考题 MOSFET管的实际电路中,一般应用在两种工作状态下。

考题 电压源、电流源在电路中总是提供能量的。

考题 在受控源电路中,控制源为VCCS,则其含义为()A、电压控制电压源B、电流控制电流源C、电压控制电流源D、电流控制电压

考题 简要分析测量电路电流时,为了减少电流表接入对电路工作状态的影响,电流表内阻应该越小越好还是越大越好?

考题 光电池的工作原理,指出它应工作在电流源还是电压源状态。

考题 在电路分析中规定()的运动方向为电流的实际方向。在直流电路中,电源的工作状态有3种,分别为()。

考题 交交变频电路中的相控整流电路是工作在整流状态还是逆变状态,则是由输出电流方向和()的异同决定。

考题 受控电流源在电路分析中的作用,和独立电流源完全相同。

考题 填空题在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

考题 问答题光电池的工作原理,指出它应工作在电流源还是电压源状态。

考题 填空题同时减小()与(),可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积,提高电路集成度。因此,缩短MOSFET尺寸是VLSI发展的趋势。

考题 单选题在电压源和电流源等值变换中,电压源中的电动势和电流源中的电流,在电路中应保持()一致。A 方向B 大小C 内特性

考题 填空题交交变频电路中的相控整流电路是工作在整流状态还是逆变状态,则是由输出电流方向和()的异同决定。