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多选:关于氧化速率下面哪种描述是正确的() A:生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性规律 B: 温度升高氧化速率迅速增加 C:(111)硅比(100)硅氧化得快 D:有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低 E: 生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性线规律


参考答案和解析
温度升高氧化速率迅速增加;( 111 )硅比( 100 )硅氧化得快;生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
更多 “多选:关于氧化速率下面哪种描述是正确的() A:生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性规律 B: 温度升高氧化速率迅速增加 C:(111)硅比(100)硅氧化得快 D:有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低 E: 生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性线规律” 相关考题
考题 氧化还原反应的条件平衡常数K¢值越大说明()。 A.氧化还原反应速率越快B.氧化还原反应速率越慢C.氧化还原反应机理复杂D.氧化还原反应的完全程度越高

考题 二氧化碳对钻具的腐蚀速率随着二氧化碳分压的增加而降低。() 此题为判断题(对,错)。

考题 一般温度在()℃以上,温度每增加()℃,油的氧化速率就会加倍。

考题 说明影响氧化速率的因素。

考题 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。A、降低B、增加C、不变D、先降低后增加

考题 当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。A、温度B、硅-二氧化硅界面处的化学反应C、氧的扩散速率D、压力

考题 通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处

考题 电极电位对判断氧化还原反应的性质很有用,但它不能判断()。A、氧化还原反应的完全程度;B、氧化还原反应速率;C、氧化还原反应的方向;D、氧化还原能力的大小。

考题 在氧化还原反应中,两电对的电极电势的相对大小,决定氧化还原反应速率的大小。

考题 氨水吸收硫化氢的速率()于吸收二氧化碳的速率。

考题 在某溶液中,同时存在几种还原剂,若它们在标准状态时都能与同一氧化剂反应,此时影响氧化还原反应进行先后次序的因素为()A、反应速率B、氧化剂与还原剂之间的电极电势差C、既决定于氧化剂于还原剂之间的电极电势差,还应考虑反应速率D、氧化剂及还原剂的浓度

考题 关于影响氧化还原反应速率的因素,下列说法正确的是()A、不同性质的氧化剂反应速率可能相差很大。B、一般情况下,增加反应物的浓度就能加快反应速度。C、所有的氧化还原反应都可通过加热的方法来加快反应速率。D、催化剂的使用是提高反应速率的有效方法。

考题 从物质燃烧的过程来看,物质能够发生自燃的条件是物质氧化的放热速率小于等于散热速率。

考题 我国《环境监测技术规范》对大气污染物例行监测规定要求测定项目为()。A、二氧化硫、二氧化氮、总悬浮颗粒物、灰尘自然沉降量、硫酸盐化速率B、二氧化硫、氮氧化物、总悬浮颗粒物、飘尘、硫酸盐化速率C、二氧化硫、一氧化氮、总悬浮颗粒物、灰尘自然沉降量、硫酸盐化速率D、二氧化硫、二氧化碳、总悬浮颗粒物、飘尘、硫酸盐化速率

考题 论述影响油脂氧化速率的因素。

考题 从物质燃烧的过程来看,物质能够发生自燃的条件是()。A、物质氧化的放热速率等于散热速率B、物质氧化的放热速率小于散热速率C、物质氧化的放热速率小于等于散热速率D、物质氧化的放热速率大于散热速率

考题 下列对氧化还原反应的反应速率的说法错误的有()。A、氧化还原反应的平衡常数越大,反应的速率越大;B、一般说来,增加反应物的浓度能提高反应的速率;C、K2Cr2O7和KI的反应可以通过加热的方法来提高反应速率;D、在氧化还原反应中,加入催化剂能提高反应的速率;E、自动催化反应的反应速率开始的时候较快,经历了一个最高点后,反应速率就越来越慢。

考题 关于预处理时所用的氧化剂或还原剂的说法错误的是()A、必须将预测组分定量的氧化或还原B、氧化剂或还原剂必须稳定C、反应速率快D、反应应具有一定的选择性

考题 一般油在60℃以上,温度每增加10℃,油的氧化速率就会加倍。

考题 阐述油脂在食品加工和贮藏中发生氧化反应的机理及其影响油脂氧化速率的因素。 

考题 判断题温度对氧化速率常数A、B都有影响,压强只影响氧化速率常数B。A 对B 错

考题 问答题论述影响油脂氧化速率的因素。

考题 问答题为什么氧化层厚度越厚,热氧化生长的速率越慢?

考题 判断题在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。A 对B 错

考题 单选题从物质燃烧的过程来看,物质能够发生自燃的条件是()。A 物质氧化的放热速率大于散热速率B 物质氧化的放热速率小于散热速率C 物质氧化的放热速率等于散热速率D 物质氧化的放热速率小于等于散热速率

考题 问答题影响氧化速率的因素有?

考题 单选题通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A 空穴移向衬底深处B 空穴移向二氧化硅层C 电子移向二氧化硅层D 电子移向衬底层深处

考题 单选题我国《环境监测技术规范》对大气污染物例行监测规定要求测定项目为()。A 二氧化硫、二氧化氮、总悬浮颗粒物、灰尘自然沉降量、硫酸盐化速率B 二氧化硫、氮氧化物、总悬浮颗粒物、飘尘、硫酸盐化速率C 二氧化硫、一氧化氮、总悬浮颗粒物、灰尘自然沉降量、硫酸盐化速率D 二氧化硫、二氧化碳、总悬浮颗粒物、飘尘、硫酸盐化速率