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判断题
在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。
A
对
B
错
参考答案
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解析:
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考题
通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
考题
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②④B
①③C
①④D
②③
考题
单选题通常,一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成,在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅,电极上存在高电位时将形成耗尽区,这是()的结果。A
空穴移向衬底深处B
空穴移向二氧化硅层C
电子移向二氧化硅层D
电子移向衬底层深处
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