考题
以下有关硼烷的说法不正确的是()。
A.BH3是最简单的硼烷B.乙硼烷中，2个硼原子间靠氢桥键结合C.乙硼烷是最简单的硼烷D.乙硼烷遇水发生水解，产物有氢气
考题
不是肌醇气相色谱法衍生剂是（）。A三甲基氯硅烷B六甲基二硅胺烷CN，N-二甲基甲酰胺D乙酰氯甲烷
考题
怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
考题
离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。A、砷化氢B、二硼化氢C、三氟化硼D、硅烷E、氧气
考题
纯净半导体中掺入（），就叫做p型半导。A、硅B、锗C、硼D、磷
考题
本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
五环三萜皂苷元的结构类型有（）A、α一香树脂烷型或乌苏烷型B、β-香树脂烷型或齐墩果烷型C、羽扇豆烷型D、达玛烷型E、羊毛脂烷型
考题
如果在半导体材料中掺入（）等五价元素，将制作成N型半导体。A、铟B、铝C、硼D、锑
考题
乙硼烷分子中含有B-H-B键、B-H键和B-B键
考题
不是肌醇气相色谱法衍生剂是（）。A、三甲基氯硅烷B、六甲基二硅胺烷C、N，N-二甲基甲酰胺D、乙酰氯甲烷
考题
五环三萜皂苷元的结构类型有（）A、α-香树脂烷型或乌苏烷型B、β-香树脂烷型或齐墩果烷型C、羽扇豆烷型D、达玛烷型E、羊毛脂烷型
考题
在纯净的半导体硅中掺入硼元素，则构成了电子型半导体
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
考题
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
乙硼烷中有（）个B-H共价键，还有2个（）键，B采用（）杂化轨道成键。乙硼烷与最简单的硅烷水解的相同产物是（）。
考题
以下有关硼烷的说法不正确的是（）。A、BH3是最简单的硼烷B、乙硼烷中，2个硼原子间靠氢桥键结合C、乙硼烷是最简单的硼烷D、乙硼烷遇水发生水解，产物有氢气
考题
当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
考题
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
考题
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
考题
判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A
对B
错
考题
填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
考题
单选题制备乙硼烷最常用的方法是在一定条件下通过（）。A
硼化镁和酸作用B
用氢气还原三氧化二硼C
硼氢化钠和浓硫酸作用D
硼氢化钠和三氟化硼作用
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
问答题试用配平的反应式表示以硼砂为主要原料制备乙硼烷的常用方法。
考题
单选题纯净半导体中掺入（），就叫做p型半导。A
硅B
锗C
硼D
磷
考题
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
考题
问答题给出下列各化合物的结构（文字说明或画图均可） （1）三甲基砷烷 （2）三甲基硼 （3）六甲基二铝 （4）四甲基硅烷