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PECVD就是利用辉光放电等离子体对沉积过程施加影响的CVD技术。


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考题 本安电路中的电容放电属于()放电。A、弧光B、火花C、辉光

考题 辉光放电与弧光放电中,正柱区的发光较为明亮.且最均匀,电场强度是常数,但相对辉光放电,弧光放电的电场强度()。A、更大B、更小C、不一定D、相等

考题 一般的霓虹灯的放电是处在()放电阶段,用于照明的气体放电灯大多数是属于()放电。A、辉光、弧光B、弧光、辉光C、辉光、辉光D、弧光、弧光

考题 气体放电主要几种形式有()。A、火花放电B、辉光放电C、电晕放电D、电弧放电

考题 ()是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积

考题 简述PECVD薄膜沉积的原理。

考题 什么是放电?什么是辉光放电?

考题 高频感应加热淬火是利用()。A、辉光放电原理B、温差现象C、电磁感应原理D、热能原理

考题 电焊就属于辉光放电。

考题 关于CVD涂层,()描述是不正确的。A、CVD对高速钢有极强的粘附性B、CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C、CVD涂层具有高耐磨性D、CVD表示化学气相沉积

考题 利用气态化合物(或化合物的混合物)在基体受热表面发生化学反应,并在该基体表面生成固态沉积物的技术称()。A、物理气相沉积(PVD)B、物理气相沉积(CVD)C、化学气相沉积(VCD)D、化学气相沉积(CVD)

考题 本质安全电路的放电形式通常有:()。A、火花放电B、弧光放电C、辉光放电D、电阻放电

考题 下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是()。A、辉光放电法B、反应溅射法C、化学气相沉积法D、电镀法

考题 预真空压力蒸气灭菌器的灭菌原理是利用A、重力置换的方法B、机械抽真空的方法C、能量转换的方法D、电磁辐射的方法E、等离子体辉光的方法

考题 气体放电的主要形式有()。A、火花放电B、辉光放电C、电弧放电D、电晕放电

考题 以下放电形式属于电气设备放电的有()。A、沿面放电B、火花放电C、电弧放电D、辉光放电

考题 问答题CVD过程中采用等离子体的优点有哪些?

考题 多选题本质安全电路的放电形式通常有:()。A火花放电B弧光放电C辉光放电D电阻放电

考题 判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。A 对B 错

考题 单选题利用气态化合物(或化合物的混合物)在基体受热表面发生化学反应,并在该基体表面生成固态沉积物的技术称()。A 物理气相沉积(PVD)B 物理气相沉积(CVD)C 化学气相沉积(VCD)D 化学气相沉积(CVD)

考题 问答题什么是放电?什么是辉光放电?

考题 判断题CVD为化学气相沉积技术的简称。A 对B 错

考题 单选题“PECVD”中文表述是()。A 脉冲激光沉积B 金属有机化学气相沉积C 溅射D 等离子体增强化学气相沉积

考题 名词解释题直流辉光放电

考题 名词解释题辉光放电

考题 多选题干法蚀刻通常指利用辉光放电方式,产生等离子体来进行图案转移的蚀刻技术。其中等离子体含有()。A离子、电子B中性原子C分子D自由基

考题 名词解释题PECVD(等离子增强CVD)

考题 填空题等离子体放电烧结过程中对参数的控制包括()、()、升温速率、压力、保温时间。