考题
用单探头法，要发现与声束取向不良的缺陷，应采用的探头频率()。A、愈高愈好B、愈低愈好C、不太高的频率D、较寻常为高的频率
考题
纯铁的晶粒愈细，则（）。A.强度愈低，塑性愈差；B.强度愈低，塑性愈好；C.强度愈高，塑性愈好；D.硬度愈高，塑性愈好。
考题
系统静压时，系统各点的总水头值相等，但各点的压力能水头不等，既（）不等，位置愈高，压力能水头愈小，位置愈低，承压愈大。
考题
对于位置比CO、H2、C的氧化曲线还要低的氧化物，CO、H2、C不能使之还原，只能用位置比其更低的金属作为还原剂，即（）
考题
调配膳食时应遵循的原则（）.A、食物的生物学种愈远愈好B、搭配的种类愈远愈好C、食物时间愈近愈好D、同时食用最好
考题
纯铁的晶粒愈细，则（）。A、强度愈低，塑性愈差B、强度愈低，塑性愈好C、强度愈高，塑性愈好D、强度愈高，塑性愈差
考题
矿石软化温度愈低，初渣出现的（），软熔带位置（）。A、愈晚，愈高B、愈晚，愈低C、愈早，愈高D、愈早，愈低
考题
铁水中磷的含量（）。A、愈高愈好B、愈低愈好C、适中
考题
伺服系统参数Kv增益越高，则位置控制的响应越快，所以Kv增益应该愈高愈好。
考题
使用压板夹持工件时，固定螺栓的位置离工件愈远愈好。（）
考题
随着细菌间相似性的减小，细菌间的位置相距渐远。
考题
送电距离愈远，要求输电线的电压（）。A、愈低愈好B、愈高愈好C、等于发电机输出电压
考题
对于双组分烃体系，若较重组分含量愈高，则相图位置愈（）；临界点位置愈偏（）。A、高；右B、低；左C、高；左D、低；右
考题
对于任意的两个氧化物，△fG*－T直线位置低的氧化物中的金属元素或低价氧化物能从直线位置高的氧化物中（），而将后一氧化物中的金属元素还原出来。
考题
金属氧化物的PO2–T线在PO2–T图中的位置愈低，其分解压愈小，该氧化物（）
考题
△fG*的愈负或氧势（）的氧化物，其稳定性愈大，它在图中的△fG*－T直线的位置就愈低。
考题
由氧势图可知，位置较低氧化物克作为氧化剂将位置较高的金属氧化。
考题
用单探头法，要发现与声束取向不良的缺陷，应采用的探头频率（）。A、愈高愈好B、愈低愈好C、不太高D、较寻常时取高值
考题
河流阶地一般用罗马数字编号，编号愈大则（）A、阶地位置愈高，生成年代愈晚B、阶地位置愈低，生成年代愈早C、阶地位置愈高，生成年代愈早D、阶地位置愈低，生成年代愈晚
考题
纯铁的品粒愈细，则（）。A、强度愈低，塑性愈差；B、强度愈低，塑性愈好；C、强度愈高，塑性愈差；D、强度愈高，塑性愈好。
考题
填空题对于任意的两个氧化物，△fG*－T直线位置低的氧化物中的金属元素或低价氧化物能从直线位置高的氧化物中（），而将后一氧化物中的金属元素还原出来。
考题
填空题金属氧化物的PO2–T线在PO2–T图中的位置愈低，其分解压愈小，该氧化物（）
考题
单选题对于双组分烃体系，若较重组分含量愈高，则相图位置愈（）；临界点位置愈偏（）。A
高；右B
低；左C
高；左D
低；右
考题
单选题用单探头法，要发现与声束取向不良的缺陷，应采用的探头频率（）。A
愈高愈好B
愈低愈好C
不太高D
较寻常时取高值
考题
单选题同一染色体上的两个基因相距愈远，则互换率：（）。A
愈低B
愈高C
不变
考题
填空题△fG*的愈负或氧势（）的氧化物，其稳定性愈大，它在图中的△fG*－T直线的位置就愈低。
考题
填空题对于位置比CO、H2、C的氧化曲线还要低的氧化物，CO、H2、C不能使之还原，只能用位置比其更低的金属作为还原剂，即（）
考题
单选题河流阶地一般用罗马数字编号，编号愈大则（）A
阶地位置愈高，生成年代愈晚B
阶地位置愈低，生成年代愈早C
阶地位置愈高，生成年代愈早D
阶地位置愈低，生成年代愈晚