网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

金属与p型半导体形成的MIS结构在耗尽状态时Qs的增加主要由加宽的那部分耗尽层中的（）承担所致。

A．电离施主

B．电离受主

C．电子

D．空穴

参考答案和解析
错误
更多 “金属与p型半导体形成的MIS结构在耗尽状态时Qs的增加主要由加宽的那部分耗尽层中的（）承担所致。A．电离施主B．电离受主C．电子D．空穴” 相关考题
考题 在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N
查看答案
考题 半导体晶体管所以具有单向导电性,是因为制造时使用特殊工艺,将P型半导体与N型半导体结合在一起,从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
查看答案
考题 在半导体电路中所形成的电流是由两部分组成的，即自由电子与空穴，前者叫电子型导电（N），后者叫空穴型导电（P）。
查看答案
考题 半导体晶体管所以具有单向导电性，是因为制造时使用特殊工艺，将P型半导体与N型半导体结合在一起，从而在P型半导体与N型半导体的接触面附近形成了PN结的缘故。
查看答案
考题 N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
查看答案
考题 在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体
查看答案
考题 在硅（或锗）本征半导体中掺入微量的（）元素，就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体，即n型半导体。A、三价B、四价C、五价
查看答案
考题 二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。A、PN结B、耗尽层C、连接层D、阻挡层E、耗尽层F、扩散层
查看答案
考题 当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
查看答案
考题 在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体
查看答案
考题 在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体
查看答案
考题 非晶半导体材料，是失去了像结晶型那长距离晶格结构后的材料，其原子周围的化学键状态与结晶时保持（）的状态。
查看答案
考题 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
查看答案
考题 在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）A、本征半导体B、N型半导体C、P型半导体D、杂质半导体
查看答案
考题 PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。
查看答案
考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
查看答案
考题 当PN结外加正向电压时，耗尽层的宽度将（）
查看答案
考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
查看答案
考题 n型半导体主要由自由电子导电，p型半导体主要由（）。
查看答案
考题 自然界物质按导电能力分为（）三种。纯净的半导体又称为（）半导体，用的最多的半导体是硅和锗，它们都具有晶体结构，在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体，掺入五价元素后形成电子N型半导体，半导体受（）的影响最大。
查看答案
考题 当PN结外加正向电压时，（）增加，耗尽层变窄。A、中和电流B、扩散电流C、漂移电流D、正弦电流
查看答案
考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
查看答案
考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
查看答案
考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
查看答案
考题 填空题n型半导体主要由自由电子导电，p型半导体主要由（）。
查看答案
考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
查看答案
考题 填空题在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。
查看答案
热门标签
最新试卷