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用16K×4的SRAM构成64KB的存储器,共需要8片。


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考题 下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

考题 巳知DRAM2118芯片容量为16K×1位,若组成64KB的系统存储器,则组成的芯片组数和每个芯片组的芯片数为().() A、2和8B、1和16C、4和16D、4和8

考题 内存按字节编址,地址从90000H到CFFFFH,若用存储容量为16K×8bit的存储器芯片构成该内存,至少需要(3)片。A.2B.4C.8D.16

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A.①和②B.②和③C.③和④D.①和④

考题 ● 内存按字节编址,地址从90000H 到CFFFFH,若用存储容量为16K×8bit的存储器芯片构成该内存,至少需要 (3) 片。(3)A. 2B. 4C. 8D. 16

考题 某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

考题 用16K×4位的RAM芯片构成64K×4位存储需要(1)RAM芯片,(2)根地址线。(38)A.2B.3C.4D.5

考题 半导体存储器DRAM与SRAM不同的是需要 ______ 。

考题 若用24K×4位芯片构成64KB的存储器,需要( )。A.16片B.32片C.64片D.128片

考题 外围电路用ECL电路,使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。A.32B.64C.128D.256

考题 用8KB×8的EPROM和SRAM芯片扩展16KB容量的程序存储器和数据存储器,问各需要几块

考题 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

考题 用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种,其中DRAM以电容来存储信息,需要定期进行()

考题 用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需要用()片。

考题 某种存储器芯片有12条地址引脚、4条数据引脚,若要利用此类芯为某系统扩展16K的8位存储器,请问需要()片这样的存储器芯片。

考题 构成8086系统64KB的存储器,选择存储器芯片的最佳方案是()。A、2片32K×8BitB、1片32K×16BitC、1片64K×8BitD、2片16K×16Bit

考题 用2k×8的SRAM芯片组成16K×16的存储器,共需SRAM芯片16片,片内地址和产生片选信号的地址分别为()、()位。

考题 用2k×8的SRAM芯片组成16K×16的存储器,共需SRAM芯片()片,片内地址和产生片选信号的地址分别为()位和()位。

考题 用2K×8的SRAM芯片组成32K×16的存储器,共需SRAM芯片()片,产生片选信号的地址需要()位。

考题 在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路,SRAM芯片选用Intel6264,起始地址从04000H开始,译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少?

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新; 其中正确的是()。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 某微机系统的存储器容量为256K字节,若采用单片容量为16K*8位的SRAM芯片,则组成该存储系统共需()个该类芯片。A、16B、8C、1D、4

考题 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

考题 用2K×8的SRAM芯片,构成4K×32的存储器时,需要()片。A、4B、8C、16D、32

考题 用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需要用多少片?

考题 问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

考题 问答题用8KB×8的EPROM和SRAM芯片扩展16KB容量的程序存储器和数据存储器,问各需要几块

考题 问答题在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路,SRAM芯片选用Intel6264,起始地址从04000H开始,译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少?