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半导体的压阻效应主要取决于

A.材料的几何尺寸

B.材料的电阻率

C.材料的温度

D.材料的透光性


参考答案和解析
材料的电阻率随受力而变化
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考题 ()的基本工作原理是基于压阻效应。 A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、光敏电阻

考题 半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()

考题 压阻式压力传感器是利用()的原理(半导体材料受压时电阻车发生变化)直接将压力转换为电信号A、压阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应

考题 下列()变送器是利用半导体的压阻效应。A、应变式B、压电式C、压阻式D、电容式

考题 压阻式传感器是利用()压阻效应制造的一种新型的传感器。A、导体B、半导体C、晶体D、电导

考题 半导体应变片的工作原理是基于().A、压电效应B、压磁效应C、压阻效应

考题 压阻式压力传感器是根据半导体材料(单晶硅)的()原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化

考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。

考题 半导体材料的压阻效应以几何尺寸变化引起的阻值变化为主。

考题 半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。

考题 半导体应变片的工作原理是基于()。A、压阻效应B、热电效应C、压电效应D、压磁效应

考题 ()的工作原理是基于压阻效应。A、金属应变片B、半导体应变片C、变阻器

考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为()A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应

考题 下列传感器中哪个是基于压阻效应的?()A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、磁敏电阻

考题 压阻式传感器是利用半导体材料压阻效应制作的电阻式应变传感器,其性能优于金属应变效应制作的电阻式应变传感器,主要用于压力测量。

考题 关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

考题 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为()。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应

考题 光电式传感器的工作原理为()。A、热电效应B、压阻效应C、光电效应D、半导体效应

考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的()。A、压阻效应;B、应变效应;C、霍耳效应;D、光电效应

考题 扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A、硅晶体的压阻效应B、硅晶体的扩散效应C、硅晶体的应变效应D、硅晶体的半导体特性

考题 判断题半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。A 对B 错

考题 填空题半导体应变片工作原理是基于压阻效应,它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数()。

考题 单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的()制成的硅膜片。A 压阻效应B 光电效应C 压电效应D 磁阻效应

考题 单选题半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的()。A 弹性模量B 热电效应C 压电效应D 压阻效应

考题 单选题半导体应变片的工作原理是基于()。A 压阻效应B 热电效应C 压电效应D 压磁效应

考题 单选题半导体应变片的工作原理是基于().A 压电效应B 压磁效应C 压阻效应

考题 单选题下列传感器中()是基于压阻效应的。A 金属应变片B 半导体应变片C 压敏电阻

考题 单选题扩散硅式压力变送器的工作主要是基于()。A 硅晶体的压阻效应B 硅晶体的扩散效应C 硅晶体的应变效应D 硅晶体的半导体特性