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糖端基碳化学位移值一般范围为

A.30 ~ 50

B.60 ~ 90

C.95 ~ 105

D.130 ~ 160


参考答案和解析
C
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考题 糖的端基碳原子的化学位移一般为( )。A.α50B.α60~90C.α90~110D.α120~160E.α160

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考题 糖的端基碳原予的化学位移一般为A.δppm160 糖的端基碳原予的化学位移一般为A.δppm<50B.δppm60~90C.δppm90~110D.δppm120~160E.δppm>160

考题 苷键构型的确定常采用A.酶水斛法B.克分子旋光差法(Klyne法)C.糖端基碳化学位移值D.1H-NMR中质子偶合常数J1,2值E.葡萄糖苷可据其IR光谱特征

考题 糖的端基碳原子的化学位移一般为A.δ160 糖的端基碳原子的化学位移一般为A.δ<50B.δ60~90C.δ90~110D.δ120~160E.δ>160

考题 可用于苷键构型确定的方法有A.酶水解法B.酸水解法C.Klyne经验公式法D.1HNMR谱中糖端基质子的偶合常数E.13 CNMR谱中糖端基碳的化学位移

考题 糖的端基碳原子的化学位移一般为A.6ppm50B.ppm60---90C.ppm90-110SXB 糖的端基碳原子的化学位移一般为A.6ppm50B.ppm60---90C.ppm90-110D.8ppml20-160E.6ppm160

考题 在确定苷键构型时以下不可选用的方法是A.酶解法B.1H-NMR谱端基H的J值C.13C-NMR谱端基C的'JCH值D.13C-NMR谱端基C的S值E.'H-NMR谱中端基H的s值

考题 鹤电一期轴向位移动作值调速器端为(),发电机侧为()。

考题 补偿导线热电势允许范围,使用范围为G的是指测量端为100℃,自由端为0℃时的值;使用范围为H的是指测量端为200℃,自由端为0℃时的值。

考题 角位移测量范围一般为-30°~+30°。()

考题 一般综合式推力轴承的推力瓦块轴向间隙值为()mm左右,轴向位移警报信号位移值为()mm.()

考题 超过基体溶解度的碳当处于敏化温度范围时会以碳化铬、碳化钼等碳化物的形式在晶界析出,会使含铬或钼的镍基合金产生晶间腐蚀敏感性。

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考题 填空题苷化位移使糖的端基碳向()移动。

考题 单选题一般用()符号表示碳化深度值。A RB SC fD d

考题 填空题苷的碳端基碳质子的化学位移在()范围。

考题 单选题苷类化合物糖的端基质子的化学位移值在()A 1.0~1.5B 2.5~3.5C 4.3~6.0D 6.5~7.5E 7.5~8.5

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