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下列关于场效应管说法正确的是
A.场效应管是一种半导体器件
B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制
C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
参考答案和解析
场效应管是一种半导体器件;场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制;对 p 型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压
更多 “下列关于场效应管说法正确的是A.场效应管是一种半导体器件B.场效应管漏源之间的电流受栅电压的控制C.对n型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压D.对p型硅为主体的场效应管在栅电压施加正电压” 相关考题
考题
下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱
考题
单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是( )。A
双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B
TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C
CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D
TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用
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