考题
在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。
A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
考题
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。()
此题为判断题(对，错)。
考题
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
结型场效应管的类型有()。
A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。
A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
考题
CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。()
此题为判断题(对，错)。
考题
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。()
此题为判断题(对，错)。
考题
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。()
此题为判断题(对，错)。
考题
CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
由（）组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物
考题
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
考题
CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。
考题
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
考题
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
考题
CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。
考题
CCD的输出电路区由（）、（）、（）和场效应管源极跟随器输出级组成。
考题
用场效应管构成的门电路称为（）门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型
考题
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
考题
填空题CCD的输出电路区由（）、（）、（）和场效应管源极跟随器输出级组成。
考题
单选题用场效应管构成的门电路称为（）门电路。A
MOC型B
TTL型C
CMOS型
考题
判断题CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。A
对B
错
考题
单选题组成世界上公认的第一台电子计算机ENIAC的主要元件是（）。A
晶体管和开关电路B
电子管和继电器C
集成电路D
集成电路和场效应管
考题
判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A
对B
错