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CMOS门电路是以MOS管为开关器件构成的逻辑电路，它同时使用了PMOS管和NMOS管，以提高电路性能。对吗？

参考答案和解析
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考题 MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
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考题 CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?
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考题 用三极管构成的门电路称为（）门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。
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考题 单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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考题 在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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考题 在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。
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考题 集成门电路的输入、输出端的结构形式都采用了三极管，都称为晶体管—晶体管逻辑电路，也称（）电路。A、TTLB、CMOSC、触发器D、继电器
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考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
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考题 采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。
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考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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考题 用场效应管构成的门电路称为（）门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型
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考题 下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是（　　）。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用
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考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
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考题 单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A 互补MOS与非门电路B CMOS与非门电路
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考题 判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A 对B 错
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