考题
增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
考题
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2
B.0.20.3
C.0.50.1
D.0.50.4
考题
在功率管开通过程中，使功率管的电流为零，或限制其电流的上升，从而减小电流与电压的交迭区域，称为（）.A、零电流开启B、零电流关断C、零电压开启D、零电压关断
考题
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A、0.1；0.2B、0.2；0.3C、0.5；0.1D、0.5；0.4
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
考题
在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
考题
PMOS管的开启电压UT为（）。A、正值B、负值C、零值D、正负值都有可能
考题
蒂森电梯DAF290主机电磁抱闸的供电开启电压为（），维持电压为（）。
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
二极管两端正向电压大于（）时，二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
考题
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
考题
肖特基二级管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。
考题
在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
考题
NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
考题
填空题蒂森电梯DAF290主机电磁抱闸的供电开启电压为（），维持电压为（）。
考题
单选题二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。A
0.1；0.2B
0.2；0.3C
0.5；0.1D
0.5；0.4
考题
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
考题
填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
考题
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A
对B
错
考题
问答题简述MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法？