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当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。

参考答案和解析
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更多 “当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。” 相关考题
考题 随着温度的升高,三极管的参数:() A、反向饱和电流增大B、电流放大系数增大C、同基极电流下、UBE值减小D、反向饱和电流减小E、电流放大系数减小F、UBE值不变
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考题 随温度的升高,三极管:() A、反向电流减小B、反向电流增大C、电流放大系数增大D、电流放大系数减小
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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定
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考题 当温度升高时三极管的集电极电流IC增加，电流放大系数β减小。()
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考题 当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。A、增大B、减小C、不变D、不确定
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考题 当环境温度升高时,二极管的反向电流将() A、增大B、减小C、不变
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考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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考题 当温度升高后,三极管的正向压降_______,后向漏电流_______。 A、增大B、减小C、不变
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考题 二极管的反向电流与温度密切相关，它会随着温度的升高而减小。（）
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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考题 当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值
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考题 当温度升高后，二极管的正向电压减小，反向电流增大。
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考题 二极管的反向电流随着温度（）而（）A、升高；减小B、降低；减小C、升高；不变D、升高；基本不变
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考题 当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大；B、减小；C、不变；D、反向。
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考题 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
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考题 当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、等于零
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考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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考题 当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。
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考题 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将要（）。A、增加B、减小C、不变
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考题 当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。A、减小、增大B、增大、减小C、不变、不变D、不变、增大
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考题 随着温度的升高，二极管反向电流几乎不变即与温度无关。
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考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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考题 单选题二极管的反向电流随着温度降低而（）。A 升高B 减小C 不变D 不确定
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考题 单选题当温度升高时，三极管的电流放大系数β将（）。A 增大B 减小C 不变D 不确定
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考题 单选题二极管的反向电流随着温度（）而（）A 升高；减小B 降低；减小C 升高；不变D 升高；基本不变
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