考题
控制极信号能控制器件的导通,但不能控制其关断,器件的关断完全由其承受的电压和电流决定,这样的电力电子器件称为( )。
A、半控型器件B、全控型器件C、不可控器件D、自关断器件
考题
导通缓冲电路,( )。
A、可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB、可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC、可以减小器件的关断损耗D、可以减小器件的导通损耗
考题
可控硅导通以后,流过可控硅的电流决定于()。
A、外电路的负载B、可控硅的通态平均电流C、可控硅A～K之间的电压D、触发电压
考题
可控硅导通以后,流过可控硅的电流决定于外电路负载。()
此题为判断题(对，错)。
考题
使晶闸管导通的条件是什么?导通后流过晶闸管的电流由哪些因素决定?
考题
开关的“开路”（open）表示（ ）。A.电子接点导通，允许电流流过
B.电子接点不导通，允许电流流过
C.电子接点导通，不允许电流流过
D.电子接点不导通，不允许电流流过
考题
可控硅导通以后，流过可控硅的电流决定于外电路负载。
考题
晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流决定于什么？晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？阻断后它能承受的电压大小决定于什么？阻断后她所承受的电压大小决定于什么？
考题
晶闸管导通后，流过晶闸管的电流，决定于（）的大小。
考题
晶闸管导通后流过晶闸管的电流决定于（）。A、晶闸管阳极和阴极之间的电压B、晶闸管的电流容量C、电路的负载大小D、晶闸管的额定电压
考题
MOS控制晶闸管（MCT）是新型电力电子器件，它具有（）特点。A、高电压B、大电流C、低通态压降D、开关速度快E、开关损耗小
考题
导通后晶闸管阳极电流是由外电路的负载决定的。
考题
晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管关断的条件是什么，如何实现？
考题
二极管导通后，当流过它的电流增加一倍时，它两端的电压将（）。A、增加一倍B、略有增加C、增加一倍以上
考题
晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流决定于什么？晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？阻断后它所承受的电压大小决定于什么？
考题
晶闸管的导通条件是什么？ 导通后流过晶闸管的电流取决于什么？ 晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？ 阻断后它所承受的电压大小取决于什么？
考题
理想电压源又称为恒压源，它的端电压是（），流过它的电流由（）来决定。
考题
电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A、电压B、电流C、电阻D、电感
考题
填空题理想电压源又称为恒压源，它的端电压是（），流过它的电流由（）来决定。
考题
问答题晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管关断的条件是什么，如何实现？
考题
问答题晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流决定于什么？晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？阻断后它所承受的电压大小决定于什么？
考题
单选题电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。A
电压B
电流C
电阻D
电感
考题
多选题导通缓冲电路，（）。A可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dtB可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dtC可以减小器件的关断损耗D可以减小器件的导通损耗
考题
单选题晶闸管导通后控制极电源线脱落，将产生的现象是（）。A
晶闸管截止B
流过阳极的电流减小C
流过阳极的电流增大D
流过阳极的电流不变
考题
单选题控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（）。A
半控型器件B
全控型器件C
不可控器件D
自关断器件
考题
问答题晶闸管的导通条件是什么？导通后流过晶闸管的电流决定于什么？晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？阻断后它能承受的电压大小决定于什么？阻断后她所承受的电压大小决定于什么？
考题
问答题晶闸管的导通条件是什么？ 导通后流过晶闸管的电流取决于什么？ 晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么？ 阻断后它所承受的电压大小取决于什么？
