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2、导体中电流I的表达式为I＝nqSv，其中S为导体的横截面积，n为导体单位体积内的自由电荷数，q为每个自由电荷所带的电荷量，v是（）

A．导体运动的速率

B．电流传导的速率

C．电子热运动的速率

D．自由电荷定向移动的速率

参考答案和解析
自由电荷定向移动的速率
更多 “2、导体中电流I的表达式为I＝nqSv，其中S为导体的横截面积，n为导体单位体积内的自由电荷数，q为每个自由电荷所带的电荷量，v是（）A．导体运动的速率B．电流传导的速率C．电子热运动的速率D．自由电荷定向移动的速率” 相关考题
考题 良导体内的自由电荷均匀分布在导体内部。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在时间t内通过导体横截面的电荷为q，电流，为()A.q×tB.q/tC.q+tD.q-t
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考题 在导体中形成电流的条件是有()。A.电荷的移动B.自由电荷C.电位差D.电量
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考题 电流的大小用电流强度来表示,单位时间t内通过导体横截面的电量Q称为电流强度I,表示公式为:()
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考题 在一静电场中，作一闭合曲面S，若有∮D·dS=0(式中D为电位移矢量)，则S面内必定（　　）。A．自由电荷的代数和为零 B．既无自由电荷。也无束缚电荷 C．自由电荷和束缚电荷的代数和为零 D．没有自由电荷
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考题 金属材料由于具有大量的自由电荷容易导电，被称为导体。
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考题 一均匀的导线，截面积为S，单位体积内有n个原子，每个原子有2个自由电子，当导体一端加以电势差后，自由电子的飘移速度为v，则导体中的电流为：（）A、nevSB、2nevSC、nvS/eD、nvS/2e
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考题 一导体球外充满相对介电常数为εr的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度σ为（）A、ε0EB、ε0ε1EC、εrED、（ε0εr-ε0）E
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考题 某导体栽分钟内均匀通过的电荷量为4.5库仑，求导体中的电流值是多少？
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考题 电流形成的内因是导体内部存在大量的自由电荷，下面属于自由电荷的是（）。A、电子B、自由电子C、离子D、原子核
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考题 焦耳一楞次定律的内容是电流通过导体所产生的热量（Q）与电流强度（I）的平方、导体的电阻（R）和通电时间（t）成正比，其表达式为Q=I2Rt。
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考题 电流形成的内因是导体内部存在大量的自由电荷。下面属于自由电荷的是（）。A、电子B、自由电子C、离子D、原子核E、空穴
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考题 如果导体中的电流为1安培，这表示在1秒钟内通过导体横截面积的（）是1库仑。A、电量B、电荷C、电子D、正电
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考题 电介质可以带上自由电荷，但导体不能带上极化电荷。
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考题 若在t秒内通过导体横截面的电量是Ｑ库伦，则电流强度为I为（）。A、I＝QtB、I＝t／QC、I＝Q／tD、I＝Q
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考题 在导体中形成电流的条件是有（）。A、电荷的移动B、自由电荷C、电位差D、电量
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考题 在时间t内通过导体横截面的电荷为q，电流为（）。A、q×tB、q／tC、q＋tD、q－t
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考题 在一秒钟内通过导体横截面S的电荷为1库仑，则此时的电流强度为（）。
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考题 通常，把单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为（）。
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考题 实际证明导体的电阻与导体的长度、材料、横截面积等有关系，关系（）。A、R=ρ*L/SB、R=V/IC、R=Q/I2D、R=I/U
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考题 若在t秒内通过导体横截面的电量是Q，则电流强度I为（）。A、I=QtB、I=QC、I=Q/t
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考题 一导体球外充满相对介电常量为εr的均匀电介质，若测得导体表面附近场强为E，则导体球面上的自由电荷面密度为：（）A、ε0EB、εEC、εrED、（ε-ε0）E
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考题 电流的大小通常以每秒钟内通过导体（）的电荷量来计算。A、单位长度B、横截面C、单位体积D、时间
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考题 电流定义为单位时间内通过导体横截面的电荷量。
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考题 单选题在导体中形成电流的条件是有（）。A 电荷的移动B 自由电荷C 电位差D 电量
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考题 单选题若在t秒内通过导体横截面的电量是Ｑ库伦，则电流强度为I为（）。A I＝QtB I＝t／QC I＝Q／tD I＝Q
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考题 单选题下列说法中正确的是（　　）．A 电路中可以只有电流而没有电压B 电源是产生电压的必要装置C 导体中有大量的自由电荷，只要构成通路，导体中就会有电荷通过D 电路中只要有电压，就会有电流
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考题 单选题在时间t内通过导体横截面的电荷为q，电流为（）。A q×tB q／tC q＋tD q－t
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