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在N型半导体中,多数载流子是空穴。


参考答案和解析
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更多 “在N型半导体中,多数载流子是空穴。” 相关考题
考题 N型半导体中多数载流子为空穴。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 N型半导体多数载流子是空穴。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对,错)。

考题 在P型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,导体作用主要由空穴决定。此题为判断题(对,错)。

考题 P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

考题 N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 在N型半导体中,()是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗

考题 在N型半导体中,()是多数载流子。A、负电荷B、空穴C、正电荷D、自由电子

考题 在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

考题 N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子

考题 N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 N型半导体中空穴是()载流子。

考题 N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

考题 P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

考题 N型半导体中多数载流子是()A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子

考题 N型半导体多数载流子是()A、空穴B、质子C、电子D、中子

考题 在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

考题 单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A 空穴/自由电子B 自由电子/空穴C 空穴/共价键电子D 负离子/正离子

考题 填空题PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向()区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向()区进行扩散。

考题 单选题N型半导体的多数载流子是()。A 电子B 电流C 空穴D 电荷

考题 单选题在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()A 电子、空穴B 空穴、电子C 电子、电子D 空穴、空穴