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下列有关兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的论述，正确的是( )。
A.两者均是局部电位
B.突触前膜均是去极化
C.突触前膜释放的递质性质一样
D.突触后膜具有不同的离子通道
B.突触前膜均是去极化
C.突触前膜释放的递质性质一样
D.突触后膜具有不同的离子通道
参考答案
参考解析
解析：
更多 “下列有关兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的论述，正确的是( )。A.两者均是局部电位 B.突触前膜均是去极化 C.突触前膜释放的递质性质一样 D.突触后膜具有不同的离子通道” 相关考题
考题
突触前抑制的轴－体突触处,突触后电位变化特征为()
A、兴奋性突触后电位绝对值增大B、兴奋性突触后电位绝对值减少C、抑制性突触后电位绝对值减少D、抑制性突触后电位绝对值增大E、突触后电位变化不大
考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）A、电位大小随刺激的强度改变B、有时间总和C、有空间总和D、是"全或无"的E、以电紧张方式扩布
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
考题
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A
兴奋性突触后电位和局部电位B
抑制性突触后电位和局部电位C
兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D
兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E
兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
单选题突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。A
电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和B
有空间总和C
是全或无的D
以电紧张方式扩布
考题
单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（ ）。A
棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B
棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C
棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D
棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E
棘波、慢波是由突触前电位构成
考题
问答题什么叫兴奋性突触后电位？什么叫抑制性突触后电位？
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