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2、PN结处于正向偏置时，耗尽区的宽度减小。

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考题 PN结正向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、正向电流较大D、正向电流较小
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考题 就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小
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考题 在饱和区,发射结处于()偏置,集电结也处于()偏置。 A、正向，正向B、正向，反向C、反向，反向D、反向，正向
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考题 PN结反向偏置时,处于导通状态,呈低电阻,正向电流大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
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考题 三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结反向偏置C.发射结正向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
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考题 PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向
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考题 当PN结外加正向电压时，耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变
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考题 在晶体三极管工作在饱和区时,其特点是()。 A.发射结处于正向偏置而集电节处于反向偏置B.发射结处于反向偏置而集电节处于正向偏置C.发射结及集电结均处于正向偏置D.发射结及集电结均处于反向偏置
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考题 当PN结加正向电压时，PN结处于截止状态。
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考题 体三极管用来放大时，应使 （）A、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置。B、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。C、发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置。D、发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置。
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考题 PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零
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考题 三极管饱和导通状态是指三极管（）。A、发射结、集电结均处于正向偏置B、发射结、集电结均处于反向偏置C、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置D、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
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考题 三极管截止状态是指三极管（）。A、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置B、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置C、发射结、集电结均处于反向偏置D、发射结、集电结均处于正向偏置
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考题 在晶体三极管工作在饱和区时，其特点是（）。A、发射结处于正向偏置而集电节处于反向偏置B、发射结处于反向偏置而集电节处于正向偏置C、发射结及集电结均处于正向偏置D、发射结及集电结均处于反向偏置
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考题 在晶体三极管工作在放大区时，其特点是（）。A、发射结处于正向偏置而集电节处于反向偏置B、发射结处于反向偏置而集电节处于正向偏置C、发射结及集电结均处于正向偏置D、发射结及集电结均处于反向偏置
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考题 PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
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考题 PN结正向偏置是指P区接电源（）极，N区接电源（）极。
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考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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考题 PN结正向偏置时，空间电荷区将变（）。
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考题 与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度（）、（）等效电阻。
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考题 当PN结外加正向电压时，耗尽层的宽度将（）
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考题 PN结具有单向导电性，当P区接电源的正极，N区接电源的负极，叫做（）。A、正向偏置B、反向偏置C、对中D、非偏置
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考题 PN结正向偏置时，处于（）状态，呈低电阻，正向电流大。
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考题 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：（）加正向电压，（）加正向电压。
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考题 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。
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考题 判断题对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。A 对B 错
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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