考题
场效应管靠()导电。
A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
考题
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
考题
半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。
考题
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
考题
场效应管从结构上看可分成（）和（）两大类型，它们的导电过程仅仅取决于（）载流子的流动。
考题
结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
考题
N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
考题
场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。
考题
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
考题
FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，因而属于（）器件。
考题
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
半导体中的载流子有两种导电运动，一种称为（）运动，另一种称为（）运动。
考题
双极型三极管有两种载流子导电，即（）和（）导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即（）导电。
考题
场效应管漏极电流由（）的漂移运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子
考题
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
考题
电力场效应管MOSEFT是（）器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子
考题
在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
考题
判断题场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。A
对B
错
考题
单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A
电子B
空穴C
多数载流子D
少数载流子