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场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
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考题
MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。对吗？
考题
MOS数字集成电路的发展经历了由PMOS、NMOS到CMOS的过程，其中PMOS电路问世最早。PMOS管是以空穴为导电载流子，而NMOS管以电子为导电载流子，由于空穴的迁移率比电子低，因此，NMOS电路的工作速比PMOS电路快，而且PMOS使用负电源，与TTL电路不匹配，所以PMOS集成电路被NMOS电路取代。后来发展的CMOS电路有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点而成为主流器件。
考题
场效应管中只有一种载流子参与导电。
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