考题
就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。
A、多B、少C、大D、小
考题
当外加电压为零时,PN结的结电容最小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化
考题
二极管最高工作频率，主要取决于PN结的（）的大小。A、材料B、最大整定电流C、结电容D、反向电流
考题
PN结外加（）电压时，电路中只有很小的电流。A、直流B、交流C、正向D、反向
考题
PN结外加（）电压时导通。A、直流B、交流C、正向D、反向
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
考题
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
考题
手机的压控振荡器通常为带变容管的电容三点式振荡电路。当加在变容管上的反向电压变化时，变容管上的结电容变化，引起振荡器震荡幅度变化。
考题
把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做（）特性。
考题
变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
考题
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
考题
当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A、大于B、小于C、等于
考题
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
考题
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
考题
判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A
对B
错
考题
填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
考题
单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A
结电容随反向电压线性变化B
结电容随着反向电压向负方向增大而减小C
反向电压变化不影响结电容变化
考题
填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
考题
填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。
考题
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
考题
填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
考题
填空题半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
