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单选题
对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）
A
光电发射效应，又称外光电效应
B
金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区
C
半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）
D
良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
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更多 “单选题对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）A 光电发射效应，又称外光电效应B 金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）D 良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高” 相关考题
考题
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
下列对光电效应的叙述中，哪些是正确的（）A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
考题
多选题对光电效应的研究结果，下列叙述中正确的是（）A入射光的频率必须大于极限频率时才能产生光电效应B光电子的发射几乎是瞬时的C产生光电效应时，光电流强度与入射光强度成正比D光电子的最大初动能与入射光的频率成正比
考题
单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是（）A
入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方（0°）发射B
入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方（180°）发射C
入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D
入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E
入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
单选题在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）A
外光电效应B
光电发射C
内光电效应D
光生伏特效应
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