考题
干法出口总硫高是()原因造成的。
A.干法触媒床层温度低。B.触媒硫容饱和C.负荷过大D.气体成份不符合工艺要求，氨含量高，铁钼触媒中毒E.湿法脱硫出口H2S含量太高
考题
停车后不用记触媒床层的温度。()
此题为判断题(对，错)。
考题
触媒使用中期，操作上要严格控制床层温度低于（）℃。A、245B、235C、225D、215
考题
23#触媒为何要再生（）A、提高床层温度B、提高触媒活性C、降低床层温度
考题
23#触媒再生时，催化剂床层升温速率控制在（）。
考题
变换触媒硫化升温阶段，触媒层温度控制在150℃—220℃之间
考题
硫化期间，硫化剂未穿透床层时不允许任何一个反应器床层温度（）。A、＞350℃B、＞230℃C、＞290℃D、以上都不是
考题
提高合成塔汽包压力，下面（）工艺参数显示上升。A、触媒床层温度B、系统操作压力C、合成塔压差D、驰放气流量
考题
通过以下（）操作，能提高甲醇触媒床层温度A、减少汽包排污量B、增加汽包排污量C、提高汽包压力D、降低汽包压力
考题
转化炉温度过高会烧坏触媒及衬里，过低会影响CH4的转化率，所以必须控制好转化触媒的床层温度。
考题
通过以下（）操作，能降低甲醇触媒床层温度A、减少汽包排污量B、减少汽包上水量C、增加合成气导入量D、增加床层循环气量
考题
甲醇合成触媒烧结后，工艺显示现象有（）。A、床层压差上升B、床层压差上升C、触媒活性大幅下降D、床层温度下降
考题
精脱硫岗位工艺指标：铁锰锌脱硫槽触媒层热点温度350～550℃
考题
各点温差大，说明有相当一部分CH4在反应剧烈区之下的触媒层转化，若某两点的温差越大，则这两点热电偶之间的触媒层中转化的CH4愈多
考题
合成气导气具备的条件是（）。A、触媒床层温度180℃B、触媒床层温度190℃C、合成气总流合格D、合成气的H/C为1
考题
合成塔压差过高的原因主要有哪些？（）A、温度压力波动过大造成触媒粉碎B、工艺管线中的铁锈等沉积在触媒床层顶部造成堵塞C、空速过小D、触媒粉尘过多，与装填质量有关
考题
从保护设备、稳定生产方面考虑，转化炉出口温度一般不低于880℃、转化炉触媒床层最高温度点不得超1050℃
考题
低变触媒钝化，必须使氮气循环在床层温度（）下，慢慢配入（），注意控制床层温升（），床层最高温度不得超过正常生产的操作温度。
考题
为什么说转化炉内各点温差大就说明触媒层中下部反应甲烷比较多？
考题
23#触媒再生时直到催化剂床层温度为370-400°C时为止，然后继续通蒸汽，直到气流的冷凝液在取样中大致没有杂质为止。
考题
23#系统压差增高原因（）A、床层阻力大，触媒粉化成积碳B、阀门管线堵塞C、煤气负荷降低
考题
填空题23#触媒再生时，催化剂床层升温速率控制在（）。
考题
多选题23#系统压差增高原因（）A床层阻力大，触媒粉化成积碳B阀门管线堵塞C煤气负荷降低
考题
判断题23#触媒再生时直到催化剂床层温度为370-400°C时为止，然后继续通蒸汽，直到气流的冷凝液在取样中大致没有杂质为止。A
对B
错
考题
单选题23#触媒为何要再生（）A
提高床层温度B
提高触媒活性C
降低床层温度