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诱导成核是()成核

  • A、非均相
  • B、均相
  • C、接触
  • D、二次

参考答案

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考题 晶核的形成有两种情况,一种是均相成核作用,一种是异相成核作用,当均相成核作用大于异相成核作用时,形成的晶核是() A、少B、多C、为晶体晶核D、热水

考题 大气气溶胶的次生气溶胶生成方式有()。 A.粉碎生成B.均相成核C.非均相成核D.并合

考题 关于二次成核的机理,公认为,对其起决定性作用的是()和流体剪应力成核。A、晶种形成B、初级非均相成核C、初级均相成核D、接触成核

考题 二级成核起主要决定性作用的是()。A、流体剪应力成核B、初级非均相成核C、初级均相成核D、接触成核

考题 结晶过程中,成核现象可以分为三种形式,其中不包括()。A、初级均相成核B、初级非均相成核C、二次成核D、接触成核

考题 接触成核属于()A、初级均相成核B、初级非均相成核C、二次成核D、流体剪切成核

考题 由外来杂质诱导成核过程称()A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 何为均相成核作用和异相成核作用?

考题 自发成核又称为()A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 均相成核

考题 Avrami方程中,n=3意味着()。A、三维生长,均相成核B、二维生长,均相成核C、二维生长,异相成核

考题 均相成核生长成为三维球晶时,Avranmi指数n为()。

考题 非均相成核比均相成核的自由能大。

考题 当希望得到晶形沉淀时,在沉淀形成的初期应该控制沉淀条件为()A、均相成核作用为主B、异相成核作用为主C、定向聚集D、不定向聚集

考题 均相成核作用是指够晶离子在过饱和溶液中,自发形成晶核的过程。

考题 填空题液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 单选题晶核的成核位垒越低,析晶过程越容易进行,按析晶过程由易到难的顺序排列,下列正确的是()A 均匀成核非均匀成核润湿的非均匀成核B 非均匀成核润湿的非均匀成核均匀成核C 润湿的非均匀成核非均匀成核均匀成核D 润湿的非均匀成核均匀成核非均匀成核

考题 判断题晶核形成的方法有均相成核和异相成核。A 对B 错

考题 单选题Avrami方程中,n=3意味着()。A 三维生长,均相成核B 二维生长,均相成核C 二维生长,异相成核

考题 名词解释题均相初级成核

考题 填空题均相成核生长成为三维球晶时,Avranmi指数n为()。

考题 问答题均相成核(散现成核):

考题 判断题非均相成核比均相成核的自由能大。A 对B 错

考题 问答题分析说明:为什么非均相成核比均相成核更易进行?

考题 名词解释题非均相成核