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加晶种控制结晶，使溶液的过饱和度控制在介稳区中，不会出现（）现象

  • A、初级成核
  • B、次级成核
  • C、均相成核
  • D、非均相成核

参考答案

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考题 当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。 A.晶种B.晶核C.晶体D.晶浆
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考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体，常在介稳区进行结晶。介稳区是指( )。A.溶液没有达到饱和的区域B.溶液刚好达到饱和的区域C.溶液有一定过饱和度，但程度小，不能自发地析出结晶的区域D.溶液的过饱和程度大，能自发地析出结晶的区域
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考题 整个结晶过程都必须将过饱和度控制在( )内。A.不稳区B.稳定区C.亚稳区D.成核区
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考题 结晶操作中，应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。此题为判断题(对，错)。
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考题 在分批冷却结晶操作中，使“溶液慢慢达到过饱和状态，产生较多晶核”的操作方式是（）A、不加晶种，迅速冷却B、不加晶种，缓慢冷却C、加晶种，迅速冷却D、加晶种而缓慢冷却
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考题 过共晶铸铁按介稳定系结晶，在共晶点共晶为奥氏体加石墨。
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考题 简述过共晶白口铸铁按介稳定系结晶的结晶过程。
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考题 在结晶过程中为制的大颗粒的结晶，过饱和度应控制在（）内。A、稳定区B、介稳区C、不稳定区
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考题 制碱塔内，在结晶过程中，为制的大颗粒的结晶，过饱和度应控制在（）内。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、冷却段
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考题 结晶操作中，应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。
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考题 为了使结晶器具有较大生产能力，同时得到希望的晶体粒度，结晶操作应控制溶液的过饱和度在（）。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、介稳区与不稳区均可
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考题 在结晶操作中，适当地增强搅拌强度（）A、可以增大饱和度B、可以降低饱和度C、可以使介稳区扩大D、可以使不稳定区扩大
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考题 在结晶操作中，适当地增加搅拌强度，（）A、可以增大饱和度B、可以降低饱和度C、可以使介稳区扩大D、可以使不稳区扩大
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考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体，常在介稳区进行结晶。介稳区是指（）。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度，但程度小，不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大，能自发地析出结晶的区域
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考题 加晶种法使溶液结晶，加入的晶种一定是溶质本身。
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考题 整个结晶过程都必须将过饱和度控制在（）内。A、不稳区B、稳定区C、亚稳区D、成核区
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考题 当通过汽化移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的（），使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 结晶时，若要获得颗粒少但是粒度大的晶体，应该控制溶液在（）结晶A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、饱和曲线上
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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考题 单选题为了使结晶器具有较大生产能力，同时得到希望的晶体粒度，结晶操作应控制溶液的过饱和度在（）。A 稳定区B 介稳区C 不稳区D 介稳区与不稳区均可
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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