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电泳后冲洗最后一道冲洗用纯水电导控制在()uS/cm以下。

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  • B、20
  • C、30
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参考答案

更多 “电泳后冲洗最后一道冲洗用纯水电导控制在()uS/cm以下。A、10B、20C、30D、50” 相关考题
考题 电泳的典型工艺主要工序为:漆前表面处理—电泳—( )—电泳烘干。A.后冲洗B.二次水洗C.纯水洗D.槽上冲洗

考题 正常生产时,漂洗段的电导率应控制在( )US/cm以下,PH值应控制在( )以上。A.20 ,4B.100 ,4C.20 ,2D.100 ,2

考题 EDI进水电导率宜控制在()。A.≤5us/cmB.≤10us/cmC.≤50us/cmD.≤100us/cm

考题 印刷用润湿液在实际使用中电导率控制在多少时比较理想而实际的。()A、200us/cm~500us/cmB、400us/cm~700us/cmC、800us/cm~1500us/cmD、2000us/cm~3000us/cm

考题 受酸腐蚀而致伤:先用大量水冲洗,再用稀碳酸氢钠溶液(或肥皂水)洗,最后再用水冲洗。如果酸液溅入眼内,用大量水冲洗后,送医院诊治。

考题 进行电导率测定前,要将电极和温度计用被测水样冲洗2 ~3次后在测定。

考题 用DDS-11型电导仪测电导率时,当被测液的电导率()时,使用DJS-10型铂黑电极。A、小于10us/cmB、大于10us/cmC、大于104us/cmD、小于104us/cm

考题 电泳涂装工艺的最后一道去离子冲洗水的电导率不应高于()。A、10B、20C、30D、25

考题 锅炉给水的电导值通常控制在()us/cm。A、0~0.5B、30~50C、0.5~30D、20~30

考题 电泳后冲洗液脏或冲洗水中含漆浓度过高时,易造成漆膜表面颗粒。

考题 手外伤清洗创口的具体步骤是()A、用0.1%的新洁尔灭冲洗创口B、用生理盐水冲洗创口后冲洗创口周围C、先用碘酒、酒精消毒,再清洗创口D、用0.1%的新洁尔灭冲洗创口内外E、先用肥皂水刷洗创口周围皮肤,再用生理盐水洗净创口周围,最后再冲洗创口

考题 冷轧厂1780机组正常生产时,漂洗段的电导率应控制在()US/cm以下。

考题 电泳后冲洗最后一道冲洗用纯水电导率控制在()μS/Cm以下。A、10B、20C、30D、50

考题 皮肤受到氨的损伤后应用大量清水冲洗10分钟以上,接着可用()或()冲洗,最后再一次用清水洗净受伤部位。

考题 移液管用纯水冲洗数次后,吹出残留水滴,直接量取试样。()

考题 按中、高压锅炉给水标准,二级除盐的出水SiO应控制在()ug/l,电导应控制在()us/cm。

考题 电泳的典型工艺主要工序为:漆前表面处理—电泳—()—电泳烘干。A、后冲洗B、二次水洗C、纯水洗D、槽上冲洗

考题 电泳涂装工艺的最后一道去离子冲洗水的电导率不应高于()us/cmA、10B、20C、30D、25

考题 电导率仪法测定水的电导率时,实验用水的电导率应小于()us/cm,一般是蒸馏水再经过离子交换柱制得的纯水。

考题 用DDS-11型电导仪测电导率时,当被测液的电导率在()范围内,使用DJS-1型铂墨电极。A、1~10us/cmB、10~102us/cmC、10~103us/cmD、10~104us/cm

考题 单选题电泳的典型工艺主要工序为:漆前表面处理—电泳—()—电泳烘干。A 后冲洗B 二次水洗C 纯水洗D 槽上冲洗

考题 单选题配制基准溶液,标准溶液及g/L级分析用的纯水其电导率为()。A <1us/cmB <0.5us/cmC <0.05us/cm

考题 填空题电导率仪法测定水的电导率时,实验用水的电导率应小于()us/cm,一般是蒸馏水再经过离子交换柱制得的纯水。

考题 单选题印刷用润湿液在实际使用中电导率控制在多少时比较理想而实际的。()A 200us/cm~500us/cmB 400us/cm~700us/cmC 800us/cm~1500us/cmD 2000us/cm~3000us/cm

考题 单选题手外伤清洗创口的具体步骤是()A 用0.1%的新洁尔灭冲洗创口B 用生理盐水冲洗创口,后冲洗创口周围C 先用碘酒、乙醇消毒,再清洗创口D 用0.1%的新洁尔灭冲洗伤口内外E 先用肥皂水刷洗创口周围皮肤,再用生理盐水洗净创口周围,最后再冲洗创口

考题 单选题电泳涂装工艺的最后一道去离子冲洗水的电导率不应高于()us/cmA 10B 20C 30D 25

考题 填空题水汽指标控制标准:凝结水泵出口氢电导()us/cm,钠离子()ug/L;精处理出口氢电导()us/cm;除氧器入口氢电导()us/cm;除氧器出口溶氧()ug/L;省煤器入口二氧化硅()ug/L;主蒸汽二氧化硅()ug/L,氢电导0.1us/cm,钠离子()ug/L,内冷水电导2us/cm,pH范围8-9;精处理高速混床出口二氧化硅5ug/L,钠离子()ug/L,氢电导()us/cm。