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称量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时,其原因是由于()。

  • A、沉淀表面电荷不平衡
  • B、表面吸附
  • C、沉淀速度过快
  • D、离子结构类似

参考答案

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考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

考题 沉淀完成后进行陈化是为了()。 A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净,同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用

考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对,错)。

考题 重量分析中要求沉淀物要纯净,()。A、沉淀中不能含有水分子B、沉淀式与称量式完全一致C、沉淀为晶型沉淀D、要避免杂质的沾污

考题 沉淀重量法在进行沉淀反应时,某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫()现象,其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有()和()。

考题 重量分析中换算因数F等于()。A、被测组分的量/称量形式的量B、称量形式的量/沉淀形式的量C、被测组分的量/沉淀形式的量D、沉淀形式的量/取样量E、称量形式的量/取样量

考题 造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

考题 重量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时,其原因是由于()。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似

考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。

考题 称量分析中的沉淀形式应当符合()。A、溶解度小B、沉淀纯净含杂质少C、相对分子量尽量大D、ABC

考题 重量分析中要求沉淀物纯净,()。A、沉淀中不能含有水分子B、沉淀式与称量式完全一致C、沉淀为晶形沉淀D、避免杂质的玷污

考题 沉淀称量法中,洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质,以及产生共沉淀的其他离子。

考题 下列说法正确的有()。A、无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B、沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C、由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D、可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

考题 重量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进入沉淀时,主要是由于()A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀酸度过快D、离子结构类似

考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

考题 在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

考题 在下列叙述中,正确的是()A、在重量分析中,需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀,应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器B、同一种沉淀,小颗粒溶解度大C、重量分析,要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mgD、引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶

考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。

考题 减少或消除混晶沉淀的方法是在沉淀时加入沉淀剂的酸度慢,沉淀进行陈化。

考题 填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

考题 多选题下列说法正确的有()。A无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

考题 单选题在下列叙述中,正确的是()A 在重量分析中,需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀,应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器B 同一种沉淀,小颗粒溶解度大C 重量分析,要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mgD 引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶

考题 单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀

考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀