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填空题
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。

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考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
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考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
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考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附
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考题 在黏土矿物的形成过程中,常常发生半径相近的离子取代一部分铝(Ⅲ)或硅(Ⅳ)的现象,即同晶置换作用。下列说法正确的是() A、与Al3+离子半径相近的阴离子也可发生同晶置换B、所有同晶置换都可使晶体内部电荷不平衡而带负电，因而能吸附阳离子C、发生同晶置换后的晶体构造并未改变D、高岭石富含钾(K2O4~7%)，就是发生了同晶置换的结果
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考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对，错)。
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考题 沉淀重量法在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫（）现象，其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有（）和（）。
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考题 如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
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考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附
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考题 陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
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考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
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考题 形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
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考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。
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考题 晶形沉淀陈化的目的（）。A、沉淀完全B、去除混晶C、小颗粒长大，使沉淀更纯净D、形成更细小的晶体
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考题 下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
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考题 重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
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考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
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考题 形成混晶共沉淀的主要条件是什么？常用来进行定性鉴定的混晶体系是什么？
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考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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考题 在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
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考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。
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考题 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
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考题 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
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考题 单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A 构晶离子B 高价离子C 极化程度大的离子D 浓度大的离子
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考题 单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀
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考题 单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A 后沉淀B 机械吸留C 包藏D 混晶
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考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
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