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光滑界面长大机理是（）。

  • A、侧面长大
  • B、连续长大
  • C、垂直长大
  • D、原子长大

参考答案

更多 “光滑界面长大机理是（）。A、侧面长大B、连续长大C、垂直长大D、原子长大” 相关考题
考题 奥氏体晶粒长大与温度的关系是()。 A、成线性关系长大B、成指数关系长大()C、没有关系D、成线性关系长大和成指数关系长大
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考题 超长断电退服时长=（）。A、断电时长大于门限（48小时）的站址退服总时长/断电时长大于门限（48小时）的站址数B、断电时长大于门限（24小时）的站址退服总时长/断电时长大于门限（24小时）的站址数C、断电时长大于门限（72小时）的站址退服总时长/断电时长大于门限（72小时）的站址数D、断电时长大于门限（72小时）的站址退服总时长/断电时长大于门限（48小时）的站址数
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考题 当铁精矿进行连续造球和批量造球时，（）。A、连续造球中，生球长大是均匀的B、连续造球中，生球长大是不均匀的C、批量造球中，生球长大是均匀的D、批量造球中，生球长大是不均匀的
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考题 东西延长大棚光照分布比南北延长大棚较均匀。
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考题 当晶核长大时，随过冷度增大，晶核的长大速度增大。但当过冷度很大时，晶核长大的速度很快减小。
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考题 奥氏体晶粒长大的驱动力是界面能，因此细晶粒比粗晶粒易长大。（）
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考题 金属结晶后的晶粒大小，决定于结晶时生核的多少和长大速度，当（）时则晶粒愈细。A、生核率愈大，长大速度愈大B、生核率愈小，长大速度愈小C、生核率愈大，长大速度愈小D、生核率愈小，长大速度愈大
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考题 奥氏体晶粒长大与温度的关系是（）。A、成线性关系长大B、成指数关系长大
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考题 母球长大主要依靠水的（）、（）和（）长大。
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考题 实际金属结晶时，生核和晶体长大的方式主要是（）。A、自发生核和平面长大B、自发生核和树枝状长大C、非自发生核和平面长大D、非自发生核和树枝状长大
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考题 晶体长大微观界面为粗糙时，宏观表现为光滑界面。
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考题 出站方向区间内有瞭望条件不良的地形或有（），禁止跟踪出站调车。A、长大下坡道B、连续长大下坡道C、长大上坡道D、连续长大上坡道
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考题 晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同，为什么织构会阻碍晶粒的长大？ 
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考题 新华产品品牌的内涵是（）。A、保障会长大B、保额会长大C、利益会长大D、红利会长大
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考题 长大货物车属于（）。A、平车B、专用货车C、特种货车D、长大平车
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考题 名词解释题连续长大
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考题 多选题晶核的长大方式（）A均匀长大B树枝状长大C横向长大
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考题 多选题新华产品品牌的内涵是（）。A保障会长大B保额会长大C利益会长大D红利会长大
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考题 多选题晶体的长大方式有（）。A连续长大B不连续长大C平面生长D二维形核生长E螺型位错生长
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考题 问答题简述微观界面种类及其长大机制。
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考题 单选题具有粗糙界面的金属，其长大机理为（）长大。A 二维晶核B 垂直C 螺位错D 刃位错
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考题 问答题晶粒长大和再结晶晶核长大的驱动力有何不同，为什么织构会阻碍晶粒的长大？
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考题 单选题下面哪种长大机制，长大速度最快（）A 二维形核长大机制B 螺形位错长大机制C 连续长大机制D 均匀形核长大机制
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考题 判断题晶体长大微观界面为粗糙时，宏观表现为光滑界面。A 对B 错
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考题 单选题冷却速度较大时，实际金属结晶形成晶核后长大，主要是哪种长大方式（）。A 平面长大B 树枝状长大C 自发长大
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考题 单选题实际金属结晶时，生核和晶体长大的方式主要是（）。A 自发生核和平面长大B 自发生核和树枝状长大C 非自发生核和平面长大D 非自发生核和树枝状长大
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考题 单选题出站方向区间内有瞭望条件不良的地形或有（），禁止跟踪出站调车。A 长大下坡道B 连续长大下坡道C 长大上坡道D 连续长大上坡道
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