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对于NPN型晶体管共发射极电路,当增大发射结偏置电压Ube时,其输入电阻也随之增大。


参考答案

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考题 三极管有PNP型、NPN型两种,若工作在放大状态时:其条件是______。A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结集电结都反向偏置C.发射结集电结都正向偏置D.视管子类型而定

考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

考题 晶体管放大电路的基本原则是:外加电源使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。 A.错误B.正确

考题 晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

考题 在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形负半周出现底部削平的失真,这种失真是()。 A、产生饱和失真,应增大偏置电流IBB、产生饱和失真,应减小偏置电流IBC、产生截止失真,应增大偏置电流IBD、产生截止失真,应减小偏置电流IB

考题 共发射极电路的放大区描述正确的?_________ A.发射结处于正向偏置B.集电结处于反向偏置C.晶体管工作于放大状态也称为线性区D.放大区具有电流放大作用

考题 当晶体管截止时,它的发射结必须是()偏置或()偏置。

考题 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在()A、截止区B、放大区C、饱和区

考题 晶体管放大电路的基本原则是:外加电源使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。

考题 当晶体管处于放大状态时,其特征是:发射结处于()偏置,集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向

考题 普通晶体管用作放大时,输入端发射结保持为()。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可

考题 晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同,这个箭头是代表发射结在正向连接时的()方向。A、电量B、电流C、电压D、功率

考题 NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时,应当发射结正向偏置,集电结反向偏置。

考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。

考题 对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是()A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,集电结正偏

考题 工作在放大区的NPN型三极管,其偏置条件是()A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,集电结正偏

考题 为保证NPN型三极管工作在放大状态,必须使();A、必须使三极的集电结处于正向偏置而发射结处于反向偏置;B、必须使三极的发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置;C、必须使三极的发射结处于反向偏置而集电结处于正向偏置;

考题 双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加()电压,在集电结加()电压。

考题 为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结()偏置,集电结()偏置。 ②对于NPN型三极管,应使VBC()。

考题 当温度升高时,晶体管的参数β增大,ICBO(),导通电压UBE减小。

考题 NPN晶体管处于截止状态的条件是()。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V

考题 晶体管在放大状态时,集电极为反向偏置,而发射结正向偏置。

考题 放大电路正常工作时要满足()。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题三极管工作在截止状态时其条件是()。A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结电压小于其死区电压C 发射结集电结都正向偏置D 集电结电压大于其死区电压

考题 填空题在正常使用条件下,晶体管的发射结加正向小电压,称为()偏置,集电结加反向大电压,称为反向偏置。

考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置