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对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）

  • A、发射结反偏，集电结反偏
  • B、发射结正偏，集电结反偏
  • C、发射结反偏，集电结正偏
  • D、发射结正偏，集电结正偏

参考答案

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考题 三极管有PNP型、NPN型两种，若工作在放大状态时：其条件是______。A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结集电结都反向偏置C.发射结集电结都正向偏置D.视管子类型而定
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考题 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、线性失真
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考题 三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，则此三极管工作在（）。A、截止区B、饱和区C、放大区D、耗散区
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考题 三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为（）和（）；饱和区，偏置为（）和（）；截止区，偏置为（）和（）。
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考题 晶体三极管（NPN型）截止的条件是什么？
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考题 晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。A、Ub＞UeB、Ub＜UeC、Ib≥ICs/βD、Ib＜ICs/β
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考题 由NPN型晶体三极管组成的共发射极放大电路，现若放大电路静态工作点选的过高，信号容易出现（）失真。A、截止B、饱和C、放大D、交越
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考题 对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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考题 在NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=0V，Ub=0.7V，Uc=5V，那么此三极管工作在（）区。A、放大B、饱和C、截止D、集电
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考题 在一NPN型晶体三极管电路中，测得Ue=8V，Ub=0.7V，Uc=12V，那么此三极管工作在（）区。A、放大B、饱和C、截止D、集电
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考题 NPN型三极管组成的放大电路在工作时，已知VE=2.1V，VB=2.8V，VC=4.4V，则三极管处于（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时，应当发射结正向偏置，集电结反向偏置。
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考题 工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
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考题 当NPN半导体三极管的（）正向偏置，（）反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即（）极电流能控制（）极电流。
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考题 为保证NPN型三极管工作在放大状态，必须使（）；A、必须使三极的集电结处于正向偏置而发射结处于反向偏置；B、必须使三极的发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置；C、必须使三极的发射结处于反向偏置而集电结处于正向偏置；
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考题 发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止的状态。（）
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考题 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生（）失真A、截止失真B、饱和v失真C、双向失真D、线性失真
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考题 为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结（）偏置，集电结（）偏置。 ②对于NPN型三极管，应使VBC（）。
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考题 当NPN型三极管的Vce0.2V时，将工作在（）区。
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考题 三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在饱和状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在截止状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。
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考题 一只NPN型三极管，UE＝8V、UB＝0.7V、UC＝12V，它一定工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、不确定
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考题 单选题三极管工作在截止状态时其条件是（）。A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结电压小于其死区电压C 发射结集电结都正向偏置D 集电结电压大于其死区电压
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考题 单选题在三极管共发射极放大电路中，如果基极偏置电流IB太大，将会产生非线性（），如果基极偏置电流IB太小，将会产生非线性（）。A 饱和失真/截止失真B 截止失真/饱和失真C 饱和失真/饱和失真D 截止失真/截止失真
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考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，若工作在放大状态时其条件是（）。A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结集电结都反向偏置C 发射结集电结都正向偏置D 视管子类型而定
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考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 单选题在NPN型三极管构成的共发射极放大电路中，如果基极偏置电流IB太大，将会产生非线性（），如果基极偏置电流IB太小，将会产生非线性（）A 饱和失真/截止失真B 截止失真/饱和失真C 饱和失真/饱和失真D 截止失真/截止失真
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考题 单选题一只NPN型三极管，UE＝8V、UB＝0.7V、UC＝12V，它一定工作在（）。A 放大区B 饱和区C 截止区D 不确定
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