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GIS终端的绝缘筒上,不宜跨接屏蔽层过电压限制器或电容器()。


参考答案

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考题 依据《中国南方电网有限责任公司电力安全工作规程》,电缆旁路作业,旁路电缆屏蔽层应在两终端处引出并(),接地线的截面积不宜小于25mm2。 A.可靠接地B.绝缘屏蔽C.短路接地

考题 下列选项中不属于GIS和罐式断路器中局部放电原因的是( ) A.导体或接地壳体上的毛刺放电B.盆式绝缘子/绝缘件表面C.GIS和罐式断路器罐体外表脏污D.屏蔽接触不良

考题 使用屏蔽电缆接线时,屏蔽层必须随同绝缘层一起剥除,连接件不得压住或接触屏蔽层。A对B错

考题 防止电力电缆损坏事故,电缆主绝缘、单芯电缆的金属屏蔽层、金属护层应有可靠的过电压保护措施。统包型电缆的金属屏蔽层、金属护层应一端可靠接地。

考题 对于GIS终端头应注意检查筒内有无放电声()。

考题 对金属屏蔽或金属套一端接地,另一端有护层过电压保护器的单芯电缆主绝缘作交流耐压试验时,必须将护层过电压保护器短接,使这一端的电缆金属屏蔽或金属套临时接地。

考题 依据《中国南方电网有限责任公司电力安全工作规程》,电缆旁路作业,旁路电缆屏蔽层应在两终端处引出并(),接地线的截面积不宜小于25mm2。A、可靠接地B、绝缘屏蔽C、短路接地

考题 并联电容器装设处,不宜装过电压保护。

考题 GIS终端是指用于SF6气体绝缘、金属封闭组合电器中的电缆终端()。

考题 装有护层过电压限制器的单芯电缆线路,每年至少检查一次电压限制器有无击穿或烧熔现象()。

考题 金属护层过电压限制器是用来限制单芯电缆护层上,可能流过的短路电流()。

考题 过负荷电流后,应检查单芯电缆的金属护层过电压限制器有无击穿或烧熔现象()。

考题 在GIS终端头的绝缘筒上,宜并联()。A、电感;B、电阻;C、电容器;D、电抗器。

考题 电缆外护套、绝缘接头外护套与绝缘夹板的直流耐压试验试验时,必须将护层过电压限制器断开,在互联箱中将另一侧的三段电缆金属套都接地,使绝缘接头的绝缘夹板也能结合在一起试验,然后在每段电缆金属屏蔽或金属套与地之间施加直流电压,加压时间为1min,不应击穿()。

考题 35kV以上单芯电缆金属护层在何位置必须装护层电压限制器()。A、每个绝缘接头交叉互联接地间;B、电缆线路终端非直接接地处;C、GIS终端绝缘筒上下之间;D、金属护层直接接地系统中。

考题 单芯电缆金属护套实行交叉互联接地方式时,屏蔽层电压限制器(即护层保护器)一般安装在()位置。A、绝缘接头;B、塞止接头;C、直通接头;D、终端。

考题 关于护层电压限制器的说法正确的是()。A、一端接地线路不能在非接地端装设限制器。B、交叉互联的电缆线路可在非接地端装设限制器。C、交叉互联的电缆线路可在绝缘接头处装设限制器以限制护层上和绝缘接头绝缘片两侧冲击过电压的升高。D、护层电压限制器普遍采用氧化锌电阻片。

考题 使用屏蔽电缆接线时,屏蔽层必须随同绝缘层一起剥除,连接件不得压住或接触屏蔽层。

考题 同轴高压电缆由内向外排列正确的是( )A、芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层B、芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C、芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层D、芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层E、芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层

考题 GIS外壳接地的特殊要求是()。A、接地网和接地引下线应使用铜排B、两筒体之间需装跨接铜排C、所有简体之间用跨接铜排且要多点接地

考题 橡塑绝缘电力电缆线路铜屏蔽层电阻和导体电阻比测试周期为()。A、屏蔽层出现腐蚀后B、重做终端或接头后C、电缆绝缘性能下降时D、3年

考题 对金属屏蔽或金属套一端接地;另一端装有护层过电压保护器的单芯电缆主绝缘做耐压试验时,必须将护层过电压保护器()。A、短接;B、悬空;C、交叉互联;D、无规定。

考题 金属套一端接地,另一端装有金属护层过电压限制器的单芯电缆主绝缘作直流耐压试验时,必须将金属护层过电压限制器短接,使这一端的电缆金属护套临时接地()。

考题 测量电缆的绝缘电阻时,需将屏蔽“G”柱接到电缆的绝缘层上。

考题 判断题防止电力电缆损坏事故,电缆主绝缘、单芯电缆的金属屏蔽层、金属护层应有可靠的过电压保护措施。统包型电缆的金属屏蔽层、金属护层应一端可靠接地。A 对B 错

考题 单选题同轴高压电缆由内向外排列正确的是()A 芯线→绝缘层→屏蔽层→半导体层→保护层B 芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C 芯线→半导体层→绝缘层→屏蔽层→保护层D 芯线→屏蔽层→绝缘层→半导体层→保护层E 芯线→绝缘层→半导体层→保护层→屏蔽层

考题 单选题非同轴式高压电缆的结构,从内向外排列的()。A 半导体层→芯线→绝缘层→屏蔽层→保护层B 芯线→绝缘层→半导体层→屏蔽层→保护层C 屏蔽层→芯线→半导体层→绝缘层→保护层D 绝缘层→芯线→屏蔽层→半导体层→保护层E 保护层→屏蔽层→半导体层→绝缘层→芯线