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在TT系统中，当SPD在剩余电流保护器（RCD）的电源侧时，UC不应小于（）。
- A、1.15U
- B、1.55U
- C、1.55U0
- D、1.15U0
参考答案
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考题
在TN-C系统中若部分回路必须装设漏电保护器(RCD)保护，则应将被保护部分的系统接地形式改为下列哪几种形式？()
(A)TN-S系统(B)TN-C-S系统
(C)局部TT系统(D)TT系统
考题
在一个电气装置内一般可装设两级rcd，上下级安装的rcd需要具有选择性时， 其位于电源侧的额定剩余动作电流应至少是位于负载侧额定剰余动作电流（）倍。
A. 5; B. 2； C. 3； D. 4。
考题
在220/380V三相系统中电涌保护器SPD的安装，下列正确的是（ ）。
A.在TN系统中，在N线与PE线连接处，应在3根相线与PE线间装设SPD;
B.在TN系统中，在N线与PE线分开处，应在3根相线与N线间及N线与PE线间 装设SPD;
C.在TT系统中，当SPD安装在剩余电流保护器的电源侧时，应在3根相线与PE线 间及N线与PE线间装设SPD；
D.在IT系统中，应在3根相线与PE线间装设SPD。
考题
在TN-C系统中，当部分回路必须装设漏电保护器(RCD)保护时,应将被保护部分的系统接地形式改成下列哪几种形式？( )
(A)TN-S 系统
(B)TN-C-S 系统
(C)局部TT系统
(D)IT系统
考题
在TN系统中作为间接接触保护，下列哪些措施是不正确的？ （）
（A）TN系统中采用过电流保护
（B）TN-S系统中采用剩余电流保护器
（C）TN-C系统中采用剩余电流保护器
（D）TN-C-S系统中采用剩余电流保护，且保护导体与PEN导体应在剩余电流保护器的负荷侧连接
考题
在选择低压TT系统中装于RCD负荷侧的电涌保护器时，其最大持续运行电压Uc 不应小于（ ）。
A. 1.15U,U为线间电压；
B 1.15Uo,Uo是低压系统相线对中性线的标称电压；
C. 1. 55U, U为线间电压；
D. 1.55Uo，Uo是低压系统相线对中性线的标称电压.
考题
开关箱中设置的刀开关QK、断路器QF、剩余电流动作保护器RCD，从电源进线端开始，其连接次序不同依次是（）。A、QK-QF-RCDB、QK-RCD-QFC、QF-RCD-QKD、RCD-QF-QK
考题
对需要有控制电源的剩余电流动作保护器，其控制电源取自主回路。当剩余电流动作保护器断电后加在电压线圈的电源应立即断开。如将电源侧与负荷侧接反，即将开关进、出线接反，即使剩余电流动作保护器断开，仍有电压加在电压线圈上，可能将电磁线圈烧毁。
考题
在TT系统中，当SPD在剩余电流保护器（RCD）的负荷侧时，UC不应小于（）；在TT系统中，当SPD在剩余电流保护器（RCD）的电源侧时。A、1.15UB、1.55UC、1.55U0D、1.15U0
考题
电源电涌保护器的保护模式应符合（）规定A、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法B、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中C、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性D、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有E、在IT接地方式下当中性线N未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPDF、在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPD
考题
电源电涌保护器的保护模式应符合（）规定：A、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对地保护模式。在甲级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。B、TN接地方式下，电涌保护器宜采用相线/中线对设备保护模式。在乙级电涌保护系统中的设备级﹑精细级和在乙级电涌保护系统中的设备级应采取全保护接法。C、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点不共地或变压器高压侧中性点不接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时，入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。D、在TT接地方式下的电涌保护器，当变压器外壳与低压侧中性点共地或变压器高压侧中性点接地时，金属氧化物电压限制型入口级SPD可位于剩余电流保护器（RCD.之负载侧，采取对地保护模式，接于各相线和中线与地之间，也可位于RCD之电源侧的接线形式。当变压器外壳与低压侧中性点共地﹑变压器中性点有效接地时，入口级SPD接线形式接于RCD之电源侧。E、在IT接地方式下当中性线N未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPD。F、在IT接地方式下当保护中性线PEN未配出时，SPD仅在各相与地之间接入；当中性线N配出时，在中性线与地之间也应接入SPD。
考题
TN系统中在剩余电流保护器的负荷侧应安装浪涌保护器（）组，最大持续运行电压Uc（）。A、3，Uc≥1.55UoB、4，Uc≥1.15UoC、3，Uc≥1.15UoD、4，Uc≥1.55Uo
考题
在TT系统或TN系统中，接于中性线和PE线之间的电涌保护器（SPD）动作后流过工频续流，电涌保护器（SPD）额定阻断续流电流值应大于或等于（）。A、50AB、100AC、30AD、150A
考题
根据《建设工程施工现场供用电安全规范》（GB50194-2014）6.4.7，当配电系统设置多级剩余电流动作保护时，每两级之间应有保护性配合，并应符合哪几项规定（）A、末级配电箱中的剩余电流保护器的额定动作电流不应大30mA分断时间不应大于0.1sB、当分配电箱中装设剩余电流保护器时，其额定动作电流不小于末级配电箱剩余电流保护值的2倍C、当总配电箱中装设剩余电流保护器时，其额定动作电流不小于分配电箱中剩余电流保护值的3倍，分断时间不应大于0.5sD、要有良好的接地，接地电阻不得大于10欧姆
考题
在选择低压TT系统中装于RCD负荷侧的电涌保护器时，其最大持续运行电压Uc不应小于（）。A、1.15U，U为线间电压；B、1.15Uo，Uo是低压系统相线对中性线的标称电压；C、1.55U，U为线间电压；D、1.55Uo，Uo是低压系统相线对中性线的标称电压。
考题
单选题TN系统中在剩余电流保护器的负荷侧应安装浪涌保护器（）组，最大持续运行电压Uc（）。A
3，Uc≥1.55UoB
4，Uc≥1.15UoC
3，Uc≥1.15UoD
4，Uc≥1.55Uo
考题
单选题在TT系统或TN系统中，接于中性线和PE线之间的电涌保护器（SPD）动作后流过工频续流，电涌保护器（SPD）额定阻断续流电流值应大于或等于（）。A
50AB
100AC
30AD
150A
考题
单选题在TT系统中，当SPD在剩余电流保护器（RCD）的负荷侧时，UC不应小于（）；在TT系统中，当SPD在剩余电流保护器（RCD）的电源侧时。A
1.15UB
1.55UC
1.55U0D
1.15U0
考题
单选题在选择低压TT系统中装于RCD负荷侧的电涌保护器时，其最大持续运行电压Uc不应小于（）。A
1.15U，U为线间电压；B
1.15Uo，Uo是低压系统相线对中性线的标称电压；C
1.55U，U为线间电压；D
1.55Uo，Uo是低压系统相线对中性线的标称电压。
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