考题
根据高炉解剖研究表明：硅在炉腰或炉腹上部才开始还原，达到()时还原出的硅含量达到最高值。A.铁口B.滴落带C.风口D.渣口
考题
减少高炉内硅的还原措施有( )。A.增加MgO含量B.减少滴落带高度C.降低软熔带位置D.强化冶炼
考题
高炉内还原1kg硅所耗热量是还原1kgFe铁的（）倍。A、4B、5C、8D、6
考题
根据高炉解剖研究表明：硅在炉腰或炉腹上部才开始还原，达到（）时还原出的硅含量达到最高值。A、铁口B、滴落带C、风口D、渣铁液面
考题
促进硅还原的措施有（）。A、提高炉渣碱度B、增加炉渣中SiO2的数量C、提高高炉下部温度D、降低高炉下部温度
考题
高炉采用高压操作，（），从而降低焦比。A、不利于硅的还原B、抑制了直接还原C、有利于间接还原D、减少了渗碳
考题
高炉内，间接还原温度区（），直接还原温度区（）。
考题
根据高炉解剖研究和高炉生产取样测定，都表明硅是在炉腰或炉腹上部才开始还原的。
考题
硅的还原是在高炉的（）或（）上部才开始，达到（）水平面时达到最高，此时铁中含硅量是终铁含硅量的（）倍。
考题
高炉内铁氧化物的还原与（）为界，还原顺序不同。A、8000B、9000C、5700D、11000
考题
高炉内按温度区间和还原主要反应划分，（）为间接还原区。
考题
促进硅还原的措施有；答案（）A、提高炉渣碱度B、增加炉渣中SiO2数量C、提高高炉下部温度D、降低高炉下部温度
考题
硅的还原是按（）→（）→（）的顺序逐级进行的。
考题
高炉内的直接还原度与高炉内铁的直接还原度有何区别？
考题
关于高炉内Si的还原叙述正错误的是（）A、Si的还原在高炉中只能以直接还原的方式进行B、提高炉温有利于Si的还原C、提高炉渣碱度有利于Si的还原D、高压操作利于冶炼低硅生铁
考题
1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si，到达风口时[Si]含量达到最大值。
考题
硅在高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→逐级进行的。
考题
根据高炉解剖研究表明：硅在炉腰或炉腹上部才开始还原，达到（）时还原出的硅含量达到最高值。A、铁口B、滴落带C、风口D、渣口
考题
硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→Si逐级进行的。
考题
冶炼低硅生铁时，适当提高碱度是因为（）A、提高炉渣的脱硫能力B、降低炉渣熔化温度C、保证充足炉温D、抑制锰的还原从而抑制硅的还原
考题
减少高炉内硅的还原措施有（）。A、增加MgO含量B、减少滴落带高度C、降低软熔带位置D、强化冶炼
考题
冶炼低硅尘铁，适当提高炉渣碱度是因为（）。A、提高炉渣的脱硫能力B、降低炉渣的熔化温度C、保证充足炉温D、抑制锰的还原从而抑制硅的还原
考题
高炉中铁氧化物在小于570℃时，还原顺序为（）。