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硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。
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考题
按照正常的吹炼过程,以下化合物的变化顺序正确的是:()。A、CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2→2FeO·SiO2B、2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2C、2CaO·SiO2→2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2
考题
根据高炉内硅还原的机理,降低生铁含硅的途径是:首先是降低软熔带位置、缩小熔滴带高度;其次降低风口前燃烧温度,直接减少SiO的发生量;三是应减少入炉的SiO2量,降低炉渣中SiO2的活度。
考题
测定钢中硅的含量,称取3g,试样得到不纯的SiO2沉淀0.1257g,用氢氟酸和H2SO4处理,使SiO2变成SiF4↑挥发后,得到残渣为0.0008g,计算试样中硅的百分含量。(Si的原子量为28.082)
考题
填空题由于O2在SiO2中的扩散率远()于Si 在SiO2中的扩散率,所以氧化反应是由O2穿过SiO2层,在()界面与Si原子反应。相同温度下,湿氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因为在SiO2中,H2O比O2有更()的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很(),所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用()法沉积Si3N4薄膜。
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
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