模电xdu2011微电子概论复试题

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模电xdu2011微电子概论复试题

电子为多数载流子的杂质半导体称为()半导体。

参考答案：N型

自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

参考答案：错误

在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案：正确

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

A、自由电子，空穴；扩散，飘移
B、空穴，自由电子；漂移，扩散
C、空穴，自由电子；扩散，漂移
D、自由电子，空穴；漂移，扩散
E、自由电子，空穴；扩散，扩散

正确答案:C

当多数载流子是自由电子时，这种半导体称为N型半导体。

正确答案:正确

电子科技大学 2011 年微电子复试微电子概论部分（时间 2011-4-6 10:3012:00满分 100答题纸上作答，写在试卷上无效）一、填空题（每空 0.5 分，共 20 分）半导体中的载流子有和两种。半导体中引起的称为漂移电流，有引起的称为势垒电流。半导体中的电容有和。当 PN 结正偏时，大于；当 PN 结反偏时，小于。光刻的流程包括、。 5.集成电路的中的电容分为、，电阻分为、。减少MOS 的特征频率fT 的方式有、。RAM 分为、，ROM 分为、。集成电路的连接工艺有、。MOS 的三种状态分别是、。（每题 3 分，共 30 分）二、VDSat1.ASIC2.FPGA3.CAD4.ROM5.8. TTL6. MOS 的特征频率fT7.PN 结的击穿电压9. “掺杂” 10.版图设计规则三、问答题（每题 10 分，共 50 分）解释随Vce 的增大增大的现象，并说明对应的参数指标。提高MOS 的fT 方法。说明双极减小基区串联电阻和增大击穿电压的相互制约关系，并说明工艺上使用哪些措施消除影响。4.利用 CMOS 传输门D 触发器。5.利用“与平面”和“或平面”构建以下逻辑关系。000 1010010001 1001101010 1000010011 0110000100 1000101101 1111110110 0101011111 0100101

半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。

正确答案:光照射；电子；空穴

P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。

正确答案:空穴

半导体中的漂移运动是由于载流子（）而引起的。

正确答案:在电场的作用下

半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。

正确答案:电子；空穴；空穴；电子；电子；空穴

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