模拟电子技术基础试题

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模拟电子技术基础试题

型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。

A、0.2 V

B、0.7 V

C、1 V

参考答案：B

二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

参考答案：单向导电性;0.7

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

参考答案：正向反向 0.7V 0.3V

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

参考答案：0.7;0.3

常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。

A.0.1

B.0.3

C.0.5

D.0.7

参考答案：D

摘要:填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙

型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。

A、1V
B、0.2V
C、0.6V

正确答案:C

小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。

A、0.4V
B、0.5V
C、0.6V
D、0.7V

正确答案:B

常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。

A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7

正确答案:D

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）

正确答案:0.6～0.8V；0.2～0.4V

常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。

正确答案:0.6（或0.7）；0.2（或0.3）

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