问题
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
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外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
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分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方向。
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钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
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金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（）。A、合金A-42B、4J29可伐C、4J34可伐
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钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（）控制。
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化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
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厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A、降低B、升高C、保持不变
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简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
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什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
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延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
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超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。A、管帽变形B、镀金层的变形C、底座变形