考题
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。()
此题为判断题(对，错)。
考题
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
考题
波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随（）A、频率增加，晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加，晶片直径减小而增大
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
考题
（）是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率的增加、晶片直径的减小而增大。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。
考题
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而（）。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
近场长度在频率给定时，随晶片直径的变小而变小。
考题
波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大
考题
波束扩散角是晶体的尺寸和在所通过的介质中声波波长的函数，并且（）。A、频率不变时晶片直径减小时增大B、频率不变时晶片直径减小时减小C、频率增加而晶片直径减小时增大D、频率增加而晶片直径减小时减小
考题
邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。A、扩散B、增大C、不变D、减小
考题
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A
随频率增加、晶片尺寸减小而减小B
随频率或晶片尺寸减小而增大C
随频率或晶片尺寸减小而减小D
频率增加、晶片尺寸减小而增大
考题
判断题近场长度在频率给定时，随晶片直径的变小而变小。A
对B
错
考题
单选题波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随（）A
频率增加，晶片直径减小而减小B
频率或晶片直径减小而增大C
频率或晶片直径减小而减小D
频率增加，晶片直径减小而增大
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A
K值增大时，近场区长度不变B
K值增大时，近场区长度增大C
K值增大时，近场区长度减小D
K值与近场区长度无关
考题
单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A
频率增加、晶片直径减小而减小B
频率或直径减小而增大C
频率或直径减小而增大D
频率增加、晶片直径减小而增大
考题
判断题近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。A
对B
错
考题
单选题邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。A
扩散B
增大C
不变D
减小
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错