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近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。


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考题 近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。() 此题为判断题(对,错)。

考题 波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()A、频率增加,晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加,晶片直径减小而增大

考题 同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大

考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

考题 半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大

考题 ()是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率的增加、晶片直径的减小而增大。

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的()。它随频率的增加、晶片直径的减小而()。

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。

考题 近场区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。A、缩短B、不变C、增加D、扩散

考题 探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大

考题 近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。

考题 说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

考题 近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。

考题 波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大

考题 波束扩散角是晶体的尺寸和在所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A、频率不变时晶片直径减小时增大B、频率不变时晶片直径减小时减小C、频率增加而晶片直径减小时增大D、频率增加而晶片直径减小时减小

考题 邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A、扩散B、增大C、不变D、减小

考题 问答题说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

考题 单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A 随频率增加、晶片尺寸减小而减小B 随频率或晶片尺寸减小而增大C 随频率或晶片尺寸减小而减小D 频率增加、晶片尺寸减小而增大

考题 判断题近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。A 对B 错

考题 单选题波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()A 频率增加,晶片直径减小而减小B 频率或晶片直径减小而增大C 频率或晶片直径减小而减小D 频率增加,晶片直径减小而增大

考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A  增大B  不变C  减小D  都有可能

考题 单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()A K值增大时,近场区长度不变B K值增大时,近场区长度增大C K值增大时,近场区长度减小D K值与近场区长度无关

考题 单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A 频率增加、晶片直径减小而减小B 频率或直径减小而增大C 频率或直径减小而增大D 频率增加、晶片直径减小而增大

考题 判断题近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。A 对B 错

考题 单选题邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A 扩散B 增大C 不变D 减小

考题 判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A 对B 错